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CHA8100-99F 参数 Datasheet PDF下载

CHA8100-99F图片预览
型号: CHA8100-99F
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内容描述: X波段HBT大功率放大器 [X-band HBT High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 12 页 / 260 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA8100
结合建议
X波段高功率放大器
对热和电方面的考虑,芯片应该钎焊在金属底板上。
在RF , DC和调制端口间的连接应根据以下进行
表:
PORT
连接
在(1)
输出( 12)
DC垫1
st
去耦水平
双键
DC垫1
st
去耦水平
单键
1
st
去耦水平2
nd
脱钩
双合水平
st
nd
1去耦级2脱钩
单级键合
电感( Lbonding ) = 0.3nH
400μm的长度为25微米×2钢丝直径
电感( Lbonding ) = 0.3nH
400μm的长度为25微米×2钢丝直径
电感( Lbonding ) = 0.7nH
两1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感( Lbonding ) = 1nH的
一1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感( Lbonding ) = 0.7nH
两1.2毫米长度的电线的直径为25微米
电感( Lbonding ) = 1nH的
一1.2毫米长度的电线的直径为25微米
在测试夹具大会提出建议
(使用模拟偏置电路)
Vc
VCTRL
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
12
IN
100pF
22 21 20
19 18
17
16
15 14
13
OUT
10nF
1µF
VCTRL
100µF
Vc
注:供应饲料应电容旁路。 25微米直径的金丝是要
首选。
参考文献: DSCHA81000069 - 10年3月10日
10/12
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09