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CHA8100-99F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CHA8100-99F
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内容描述: X波段HBT大功率放大器 [X-band HBT High Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 12 页 / 260 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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X波段高功率放大器
CHA8100
芯片机械数据和引脚参考
1
12
单位:微米
芯片的宽度和长度,给出具有± 35微米的公差
切屑厚度= 100μm的+/- 10微米
RF垫( 1 , 12 ) = 96× 196μm²
直流垫( 2,3, 4,5, 6,7, 9,10 ,14,15 ,17,18 ,19,20 ,21,22 ) = 96× 96μm²
DC垫( 8,16 ) = 192 X 96μm²
直流焊盘(11 ,13) = 288 X 96μm²
引脚数
1
7, 9, 15, 17
2, 22
4, 20
5, 19
6, 10, 14, 18
3, 8, 11, 13, 16, 21
12
参考文献。 : DSCHA81000069 - 10年3月10日
引脚名称
IN
C1, C2
TI
TO9
TO8
GND
V,Vc1,Vc2
OUT
9/12
描述
输入RF
集电极电流控制电压
TTL输入
TTL输出,当Vcx时= 9V
TTL输出Vcx时= 8V
地( NC )
电源电压
RF输出
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
路线Départementale 128 , BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 08 - 传真: +33 ( 0 ) 1 69 33 03 09