40W功率封装晶体管
射频特性（脉冲）
CHK040A-SOA
TCASE = + 25 ° C，
脉冲模式
(1)
， F = 3GHz的，V
DS
= 50V ，我
D_Q
=300mA
符号
参数
民
G
SS
P
SAT
PAE
小信号增益
16
典型值
18
最大
单位
dB
饱和输出功率
45
55
W
最大功率附加效率
55
60
%
G
PAE_MAX
在最大PAE相关增益
13
dB
(1)
RF输入和栅极电压脉冲。条件为25μs的宽度， 10 ％的占空比和1μs的
直流和射频脉冲之间的时间偏移。
这些值是在封装器件的本征性能。它们是从推导
测量和模拟。它们被认为是在由所定义的参考平面
引线的封装，在与印刷电路板的连接界面。
典型的性能可达到在25％以上的频带各处3GHz的是
使用参考板61499547下文提出证明。
绝对最大额定值
TCASE = + 25°C
(1), (2), (3)
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS_Q
栅源电压
I
g最高
最大栅电流正向模式
I
将G_min
最大栅电流反向模式
I
D- MAX
最大漏极电流
P
IN
最大输入功率（典型值）
T
j
结温
T
英镑
储存温度
T
例
情况下的工作温度
(1)
等级
60
-10, +2
72
-12
6
39
220
-55到+150
见注
单位
V
V
mA
mA
A
DBM
°C
°C
°C
记
(6)
(4)
(5)
(4)
该设备上面这些参数的任何操作可能会导致永久性的
损害。
(2)
持续< 1秒。
(3)
给定的值必须不同时被超过即使是瞬间的任何
参数，因为每个参数是相互独立的，否则的劣化或
破坏该装置的可能发生。
(4)
最大结温，必须考虑
(5)
@ 3GHz的 - 挂钩并受我
g最高
＆放大器;我
将G_min
值
(6)
V
GS_Q
最大的限制由我
D- MAX
我
g最高
值
参考文献。 ： DSCHK040ASOA3021 - 13年1月21日
3/14
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