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MIE-384A4 参数 Datasheet PDF下载

MIE-384A4图片预览
型号: MIE-384A4
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内容描述: 铝镓砷/砷化镓T-1封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs T-1 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 33 K
品牌: UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]
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MIE-384A4
光电特性
@ T
A
=25
o
C
参数
辐射强度
正向电压
反向电流
峰值波长
光谱带宽
视角
测试条件
I
F
=20mA
I
F
=50mA
V
R
=5V
I
F
=20mA
I
F
=20mA
I
F
=20mA
符号
Ie
V
F
I
R
λp
∆λ
1/2
分钟。
典型值。
2.0
马克斯。
单位
毫瓦/ SR
V
µA
nm
nm
度。
-
1.5
100
-
-
-
-
-
1.3
-
940
50
28
-
-
-
典型的光 - 电特性曲线
相对辐射强度
1
0.5
0
840
940
1040
100
输出功率值I
F
=20mA
波长(nm )
图1的光谱分布
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-40
-20
0
20
40
正向电流(mA )
80
60
40
20
0
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
正向电压( V)
图2正向电流与
正向电压
输出功率相对于
在我的价值
F
=20mA
相对辐射强度
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
环境温度T
A
( C)
图3相对辐射强度
- 环境温度
10°
20°
30°
40°
1.0
0.9
0.8
50°
60°
70°
80
90°
0.5 0.3 0.1
0.2 0.4 0.6
o
60
正向电流(mA )
图4相对辐射强度
与正向电流
图5辐射方向图
东贝光电科技有限公司
02/04/2002