MIE-524A4 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MIE-524A4
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内容描述：	铝镓砷/砷化镓高功率T-1 3/4封装红外发光二极管 [AlGaAs/GaAs HIGH POWER T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE]
分类和应用：	二极管高功率电源
文件页数/大小：	2 页 / 35 K
品牌：	UOT [ UNITY OPTO TECHNOLOGY ]

MIE-524A4

光电特性

@ T

=25 C

参数

辐射强度

正向电压

反向电流

峰值波长

光谱带宽

视角

测试条件

=20mA

=50mA

=5V

=20mA

符号

λp

∆λ

2θ

1/2

940

分钟。

典型值。

4.0

1.30

1.50

100

马克斯。

单位

毫瓦/ SR

µA

度。

典型的光 - 电特性曲线

相对辐射强度

正向电流I

（MA ）

940

1040

100

-55 -25

75 100 125

0.5

840

波长（nm ）

图1的光谱分布

输出功率值，如果= 20mA下

100

环境温度T

(

图2正向电流与

环境温度

2.5

1.5

0.5

-40

-20

正向电流（mA ）

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

正向电压（ V）

图3正向电流与

正向电压

输出功率相对于

在我的价值

=20mA

相对辐射强度

100

环境温度T

( C)

图4相对辐射强度

- 环境温度

0° 10°

20°

30°

40°

50°

60°

70°

80°

90°

1.0

0.9

0.8

正向电流（mA ）

图5相对辐射强度

与正向电流

0.5 0.3 0.1 0.2 0.4 0.6

图6辐射方向图

11/17/2000

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