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型号: 2N80
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内容描述: 2安培, 800伏特N沟道功率MOSFET [2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 165 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
2N80
初步
功率MOSFET
2安培, 800伏
N沟道功率MOSFET
描述
在UTC
2N80
是用一个N沟道模式功率场效应管UTC的
先进的技术,提供的costumers平面条形和DMOS
技术。该技术是专门从事允许的最小
通态电阻和优越的开关性能。它也可以
承受高能量脉冲雪崩和减刑
模式。
在UTC
2N80
在高效率的开关被普遍应用
模式电源。
特点
* 2.4A , 800V ,R
DS ( ON)
= 6.3Ω @V
GS
= 10 V
*高开关速度
符号
订购信息
订购数量
无铅
无卤
2N80L-TF3-T
2N80G-TF3-T
2N80L-TN3-R
2N80G-TN3-R
注:引脚分配: G:门D:漏极
TO-220F
TO-252
S:源
引脚分配
1
2
3
G
D
S
G
D
S
填料
带盘
www.unisonic.com.tw
©2010 Unisonic技术有限公司
1 6
QW-R502-480.a