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型号: 2N80
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内容描述: 2安培, 800伏特N沟道功率MOSFET [2 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 165 K
品牌: UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
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2N80
初步
功率MOSFET
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
符号
评级
单位
漏源电压
V
DSS
800
V
栅源电压
V
GSS
±30
V
雪崩电流(注1 )
I
AR
2.4
A
连续
I
D
2.4
A
漏电流
9.6
A
脉冲(注1 )
I
DM
单脉冲(注2 )
E
AS
180
mJ
雪崩能量
重复(注1 )
E
AR
8.5
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt (注3 )
dv / dt的
4.0
V / ns的
TO-220F
24
W
功耗
P
D
TO-252
43
W / ℃,
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55~+150
°C
注意:绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热特性
参数
结到环境
结到外壳
TO-220F
TO-252
TO-220F
TO-252
符号
θ
JA
θ
JC
评级
62.5
110
5.2
2.85
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 6
QW-R502-480.a