7N65
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
符号
V
DSS
V
GSS
功率MOSFET
评级
单位
漏源电压
650
V
栅源电压
±30
V
T
C
= 25°C
7.0
A
连续漏电流
I
D
T
C
= 100°C
4.7
A
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
28
A
雪崩能量，单脉冲（注2 ）
E
AS
530
mJ
雪崩能量，重复，限制T
JMAX
E
AR
14.2
mJ
峰值二极管恢复的dv / dt （注3 ）
dv / dt的
4.5
V / ns的
功率耗散（T
C
= 25°C)
P
D
142
W
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
℃
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
结到环境
结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
民
典型值
最大
62.5
0.88
单位
° C / W
° C / W
电气特性
(T
C
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
前锋
反向
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
V
DS
= 650 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 520 V，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
最小典型最大单位
650
1
1
100
-100
0.67
2.0
1
8.0
4.0
1.35
V
µA
µA
nA
nA
V/℃
V
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
击穿电压温度
系数
基本特征
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
△
BV
DSS
/△T
J
I
D
= 250μA ，引用至25℃
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
R
t
D（关闭）
t
F
Q
G
Q
GS
Q
DD
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
GS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 40 V，I
D
= 3.5 A（注4 ）
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1mHz的
1200 1600
150 190
18
25
35
79
80
52
30
6.5
13
80
165
160
120
V
DD
= 325V ，我
D
= 7.0 A
（注4,5）
V
DS
= 520V ，我
D
= 7.0A ，V
GS
= 10 V
（注4,5）
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2第8
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UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
