7N65
典型特征（续）
功率MOSFET
在国家电流与允许外壳
温度
反向漏电流，I
DR
(A)
导通电阻变化VS漏
.
电流和栅极电压
漏源导通电阻，
R
DS （ ON）
（欧姆）
10
150℃
25℃
1
注意事项：
1. V
GS
=0V
2. 250μs的测试
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
源极 - 漏极电压，V
SD
(V)
栅极电荷特性
12
2.5
2.0
V
GS
=20V
V
GS
=10V
1.5
1.0
0.5
0
注：t
J
=25℃
0
5 10 15 20 25
漏电流，我
D
(A)
电容特性
（不重复）
2000
1600
栅源电压，V
GS
(V)
C
ISS =
C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路）
C
OS s
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
10
8
6
4
2
0
电容（pF）
C
国际空间站
C
OSS
注意事项：
1. V
GS
=0V
2， F = 1MHz的
V
DS
=520V
V
DS
=325V
V
DS
=130V
1200
800
400
0
0.1
C
RSS
1
10
注：我
D
=7A
0
10 20
30
40
50
60
70
汲极SourceVoltage V
DS
(V)
,
总栅极电荷，Q
G
（ NC ）
瞬态热响应
曲线
1
热响应，
θ
JC
(t)
0.1
注意事项：
1.
θ
JC
（ T）= 0.88 ℃ / W最大。
2.占空比， D = T1 / T2
3.T
JM
-T
C
=P
DM
×θ
JC
(t)
0.01
1E-5
1E-4 1E-3 0.01 0.1
1
10
方波脉冲持续时间T
1
（秒）
,
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
第7 8
QW-R502-104,A
UTC-IC [ UNISONIC TECHNOLOGIES ]
