BYG21K & BYG21M
威世通用半导体
100
200
反向恢复电荷（ NC）
V
R
=
V
RRM
T
A
= 125 °C
150
T
A
= 100 °C
T
A
= 75 °C
100
T
A
= 50 °C
T
A
= 25 °C
50
反向电流（ μA ）
10
I
R
= 0.5 A，I
R
= 0.125 A
1
25
50
75
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
结温（ ° C）
正向电流（ A）
图3.反向电流与结温
图6.最大。反向恢复电荷与正向电流
120
热电阻脉冲电导率。 （K / W）
1000
反向功率耗散（MW ）
V
R
=
V
RRM
100
P
R
- 限制
在100
% V
R
125 K / W DC
100
t
P
/T = 0.5
t
P
/T = 0.2
t
P
/T = 0.1
10
t
P
/T = 0.05
t
P
/T = 0.02
单脉冲
t
P
/T = 0.01
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
80
60
P
R
- 限制
at
80 % V
R
40
20
0
25
50
75
100
125
150
结温（ ° C）
脉冲长度（S ）
图4.最大。反向功率耗散与结温
图7.热响应
25
F = 1 MHz的
二极管电容（pF ）
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
反向
电压
(V)
图5.二极管电容与反向电压
文档编号： 88961
修订： 11 -APR- 08
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