GSOT03C到GSOT36C
两线ESD保护的SOT- 23
威世半导体
电气特性GSOT15C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 15 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 8 A
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 8 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 7.5 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
15
-
16.5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
18
19.4
24.8
1
1.8
90
35
马克斯。
2
-
1
-
23.5
28.8
1.2
-
120
-
单位
线
V
μA
V
V
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（间管脚1至3或针2 〜3）
电气特性GSOT24C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 24 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 5 A
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 12 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
24
-
27
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
30
34
41
1
1.4
65
20
马克斯。
2
-
1
-
41
47
1.2
-
80
-
单位
线
V
μA
V
V
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（间管脚1至3或针2 〜3）
电气特性GSOT36C
参数
保护路径
反向工作电压
反向电流
反向击穿电压
反向钳位电压
正向电压钳位
电容
测试条件/备注
行数可被保护的
在我
R
= 1 μA
在V
R
= 36 V
在我
R
= 1毫安
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在我
PP
= 1 A
在我
PP
= I
PPM
= 3.5 A
在V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
在V
R
= 18 V ; F = 1 MHz的
符号
N
通道
V
RWM
I
R
V
BR
V
C
V
F
C
D
分钟。
-
36
-
39
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
43
49
59
1
1.3
52
12
马克斯。
2
-
1
-
60
71
1.2
-
65
-
单位
线
V
μA
V
V
V
V
V
pF
pF
记
•在25 ° C，除非另有规定的环境温度额定值。偏置模式（间管脚1至3或针2 〜3）
BiSy模式
（ 1线双向对称的保护模式）
如果双极对称的保护装置是必要的GSOTxxC也可以用来作为一个单一的线路保护装置。因此
销1具有被连接到所述信号 - 或数据线（L1）和第2脚接地（或反之亦然）。 3脚不能连接。
正和负的电压瞬变将被钳位以相同的方式。夹紧电流通过GSOTxxC通
在前进方向上的一个二极管和另一个在相反的方向上。钳位电压（V
C
）被突破定义
电压（V
BR
）电平的一个二极管的加其它二极管的正向电压加在串联的阻抗上的电压降
保护装置的（电阻和电感） 。
由于相同的钳位电平在正和负方向上的GSOTxxC电压钳位特性是双向的
对称（ BiSy ） 。
文档编号： 85824
2.0版本， 22 10年7月
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
