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TSMS3700 参数 Datasheet PDF下载

TSMS3700图片预览
型号: TSMS3700
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内容描述: 砷化镓红外发光二极管在SMT封装 [GaAs Infrared Emitting Diode in SMT Package]
分类和应用: 半导体二极管
文件页数/大小: 6 页 / 57 K
品牌: VITESSE [ VITESSE SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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TSMS3700
Vishay Telefunken
1000
1.25
F
e rel
– Relative Radiant Power
F
e
– Radiant Power ( mW )
100
1.0
0.75
0.5
10
1
0.25
I
F
= 100 mA
0
900
0.1
10
0
94 8012 e
10
1
10
2
10
3
10
4
94 7994 e
I
F
– Forward Current ( mA )
l
– Wavelength ( nm )
10
°
20
°
950
1000
Figure 7. Radiant Power vs. Forward Current
1.6
Figure 9. Relative Radiant Power vs. Wavelength
30°
1.2
I
e rel
;
F
e rel
I
F
= 20 mA
0.8
I
e rel
– Relative Radiant Intensity
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.4
0
–10 0 10
94 7993 e
50
100
140
94 8013 e
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
T
amb
– Ambient Temperature (
°C
)
Figure 8. Rel. Radiant Intensity\Power vs.
Ambient Temperature
Figure 10. Relative Radiant Intensity vs.
Angular Displacement
www.vishay.com
4 (6)
Document Number 81037
Rev. 3, 01-Aug-00