VG26S18165CJ-5 参数 Datasheet PDF下载

型号：	VG26S18165CJ-5
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内容描述：	1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM [1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用：
文件页数/大小：	27 页 / 232 K
品牌：	VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]

VIS

直流特性; 5伏VERION

= 0至+ 70°C

= + 5V

10 %,V

= 0V)

参数

符号

测试条件

-5

民

工作电流

CC1

RAS骑自行车

LCAS / UCAS自行车

=分钟

TTL接口

RAS ， LCAS / UCAS = V

DOUT =高阻

CMOS接口

待机

当前

CC2

标准

动力

VERSION

RAS ，

CAS

≥

VCC -0.2V

DOUT =高阻

TTL接口

RAS ， LCAS / UCAS = V

DOUT =高阻

CMOS接口

RAS ，

CAS

≥

VCC -0.2V

DOUT =高阻

RAS-只

刷新当前

CC3

RAS骑自行车，

LCAS / UCAS = V

=分钟

RAS ， LCAS / UCAS自行车

RAS

≥

100µs

待机： V

0.2V

≤

RAS

RAS之前CAS刷新：

2048次/ 128ms的

RAS ， LCAS / UCAS ：

≤

0.2V

VCC- 0.2V

≤

（最大）

DOUT =高-Z ，T

RAS

≤

300ns

120

最大

120

民

-6

VG26(V)(S)18165C

1,048,576 ×16 - 位

CMOS动态RAM

VG26(V)(S)18165C

单位

笔记

最大

110

1, 2

低

动力

S-版

0.25

110

1, 2

EDO页模式

当前

CAS先于RAS

刷新当前

自刷新电流

（S - 版）

CAS-直至─ RAS长

刷新当前

（S-版）

CC4

CC5

CC8

CC9

120

350

500

110

350

500

µA

1, 3

1, 2

文档： 1G5-0147

Rev.1

第6页

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