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VG26S18165CJ-5 参数 Datasheet PDF下载

VG26S18165CJ-5图片预览
型号: VG26S18165CJ-5
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内容描述: 1,048,576 ×16 - 位CMOS动态RAM [1,048,576 x 16 - Bit CMOS Dynamic RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 27 页 / 232 K
品牌: VML [ VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR ]
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VIS
绝对最大额定值
VG26(V)(S)18165C
1,048,576 ×16 - 位
CMOS动态RAM
参数
5V
任何引脚相对于VSS的电压
3.3V
5V
电源电压相对于Vss
3.3V
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
价值
-1.0至+ 7.0
-0.5〜 + 4.6
-1.0至+ 7.0
单位
V
V
V
CC
-0.5〜 + 4.6
I
OUT
P
D
T
选择
T
英镑
50
1.0
0至+ 70
-55〜 + 125
mA
W
¢J
¢J
建议的直流工作条件
参数/条件
符号
5伏版本
典型值
5.0
最大
5.5
3.3伏版本
典型值
3.3
最大
3.6
单位
电源电压
输入高电压,所有输入
输入低电压,所有输入
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
2.4
-1.0
3.0
2.0
-0.3
V
V
V
- V
CC
+ 1.0
-
0.8
- V
CC
+ 0.3
-
0.8
电容
TA = 25∘C ,V
CC
= 5V
±
10 %
或3.3V
±
10 % , F = 1MHz的
参数
输入电容(地址)
输入电容
( RAS , LCAS , UCAS , OE , WE)
输出电容
(数据,数据出)
符号
C
I1
C
I2
C
I / O
典型值
-
-
-
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
1
1
1, 2
注:1,电容与有效电容的测量方法进行测定。
2. RAS ,
LCAS和UCAS
= V
IH
禁用Dout的。
文档: 1G5-0147
Rev.1
第5页