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WED9LAPC2C16V8BI 参数 Datasheet PDF下载

WED9LAPC2C16V8BI图片预览
型号: WED9LAPC2C16V8BI
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内容描述: 512K ×32 SSRAM / 1M ×64 SDRAM [512K x 32 SSRAM / 1M x 64 SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器动态存储器
文件页数/大小: 24 页 / 935 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED9LAPC2C16V8BC  
White Electronic Designs  
FIG. 8 SDRAM PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
GCK  
VCRAS#  
VCCAS#  
VCADDR  
Note 1  
CAa  
RBb  
CBb  
CAc  
CBd  
CAe  
RAa  
VCBS  
RAa  
VCADDR9/AP  
RBb  
CL = 2  
QAa0  
QAa1  
QAa2  
QAa3  
QBb0  
QBb1  
QBb2  
QBb3  
QAc0  
QAc1  
QBd0  
QBd1  
QAe0  
QAe1  
VCDATA  
CL = 3  
QAa0  
QAa1  
QAa2  
QAa3  
QBb0  
QBb1  
QBb2  
QBb3  
QAc0  
QAc1  
QBd0  
QBd1  
QAe0  
QAe1  
VCWE#  
VCDQM#  
Row Active  
(A-Bank)  
Row Active  
(B-Bank)  
Read  
Read  
Precharge  
(A-Bank)  
Read  
Read  
(A-Bank)  
(A-Bank)  
(B-Bank)  
(B-Bank)  
Read  
(A-Bank)  
DON’T CARE  
Note:  
1.  
To interrupt a burst read by Row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.  
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specifications without notice.  
July, 2000  
Rev. 0  
15  
White Electronic Designs Corporation • (602) 437-1520 • www.wedc.com