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EDI8L32512V15AI 参数 Datasheet PDF下载

EDI8L32512V15AI图片预览
型号: EDI8L32512V15AI
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内容描述: 512Kx32 SRAM Module.3.3V [512Kx32 SRAM Module.3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 8 页 / 231 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
工作温T
A
(环境)
广告
产业
储存温度,塑料
功耗
输出电流
结温,T
J
-0.5V至7.0V
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2.5瓦
20毫安
-175°C
EDI8L32512V
建议的直流工作
条件
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.135
0
2.2
-0.3
典型值
3.3
0
--
--
最大
3.465
0
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
V
电容
( F = 1.0MHz的,V
IN
=V
CC
或V
SS
)
参数
地址线
数据线
芯片使能线
写&输出使能线
符号
CI
CD / Q
E0-3
W# ,G #
最大
30
10
8
30
单位
pF
pF
pF
pF
*压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或任何其他条件大于在指定的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
真值表
E#
H
L
L
L
W#
X
H
H
L
G#
X
H
L
X
模式
待机
产量
DESELECT
产量
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
动力
I
CC
2, I
CC
3
I
CC
1
I
CC
1
I
CC
1
(V
CC
= 3.3V ,T
A
= 25°C)
条件
W# = V
IL
, II / O = 0毫安,闵周期
Ë # > V
IH
, V
IN
& LT ; V
IL
或V
IN
& GT ; V
IH
Ë # > V
CC
-0.2V
V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
& LT ; 0.2V
V
IN
= 0V至V
CC
V I / O = 0V至V
CC
I
OH
= -4.0mA
I
OL
= 4.0毫安
DC电气特性
参数
工作电源电流
待机( TTL )电源电流
全待机功耗CMOS电源
当前
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
符号
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
12 & 15
--
--
--
--
--
2.4
--
典型值
440
100
60
--
--
--
--
最大
800
300
80
±20
±20
--
0.4
--
--
--
--
--
2.4
--
17 & 20
典型值
440
100
60
--
--
--
--
最大
640
200
100
±10
±10
--
0.4
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
单位
mA
mA
mA
µA
µA
V
V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
480Ω
480Ω
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
(注:对于T
EHQZ
,t
GHQZ
和T
WLQZ
, CL = 5pF的,图2)
Q
255Ω
30pF
Q
255Ω
5pF
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十月。 2000
第3版
2
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