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W3E32M64S-266SBM 参数 Datasheet PDF下载

W3E32M64S-266SBM图片预览
型号: W3E32M64S-266SBM
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内容描述: 32Mx64 DDR SDRAM [32Mx64 DDR SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 17 页 / 724 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
在V电压
CC
, V
CCQ
供应相对于VSS
电压的I相对于Vss / O引脚
工作温T
A
( MIL )
工作温T
A
(IND)
储存温度,塑料
-1到3.6
-1到3.6
-55到+125
-40至+85
-55到+125
W3E32M64S-XSBX
单位
V
V
°C
°C
°C
注:压力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或高于本规范的业务部门所标明更大的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容(注13 )
参数
输入电容: CK / CK #
地址, BA
0-1
输入电容
输入电容:所有其他输入专用管脚
输入/输出电容: I / O的
符号
C
I1
CA
C
I2
C
IO
最大
6
20
6
9
单位
pF
pF
pF
pF
BGA封装热阻
描述
结到环境(无空中溢流)
结到球
结到外壳(顶部)
符号
的Theta JA
热阻JB
西塔JC
典型
15.7
13.8
2.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
笔记
1
1
1
在建模环境的应用说明部分,请参见"PBGA热阻Correlation" (应用指南)在www.wedc.com 。
DC电气特性和操作条件
(注1-5 , 16 , 52 )
V
CC
, V
CCQ
= + 2.5V ±0.2V ; -55°C
T
A
+125°C
参数/条件
电源电压( 36 , 41 )
I / O电源电压( 36 , 41 , 44 , 52 )
输入漏电流:任何输入0V
V
IN
V
CC
(所有其它引脚不被测= 0V )
输入漏电流地址(所有其它引脚不被测= 0V )
输出漏电流: I / O是禁用的; 0V
V
OUT
V
CCQ
输出电平:完整的驱动器选项( 37 , 39 )
大电流(V
OU
T = V
CCQ
- 0.373V ,最小V
REF
,最小V
TT
)
低电流(V
OUT
= 0.373V ,最大V
RE
女,最大V
TT
)
输出电平:降低驱动器选项( 38 , 39 )
大电流(V
OUT
= V
CCQ
- 0.763V ,最小V
REF
,最小V
TT
)
低电流(V
OUT
= 0.763V ,最大V
REF
,最大V
TT
)
I / O参考电压( 6.44 )
I / O终端电压( 7,44 )
2006年7月
启5
符号
V
CC
V
CCQ
II
II
I
OZ
I
OH
I
OL
I
高级代表办事处
I
OLR
V
REF
V
TT
2.3
2.3
-2
-8
-5
-12
12
-9
9
0.49 x垂直
CCQ
V
REF
- 0.04
最大
2.7
2.7
2
8
5
-
-
-
-
0.51 x垂直
CCQ
V
REF
+ 0.04
单位
V
V
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
V
V
10
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com