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W3E32M64S-266SBM 参数 Datasheet PDF下载

W3E32M64S-266SBM图片预览
型号: W3E32M64S-266SBM
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内容描述: 32Mx64 DDR SDRAM [32Mx64 DDR SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 17 页 / 724 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
AC输入工作条件
V
CC
, V
CCQ
= + 2.5V ±0.2V ; -55°C
T
A
125°C
参数/条件
输入高电平(逻辑1 )电压
输入低电平(逻辑0 )电压
符号
V
IH
V
IL
W3E32M64S-XSBX
V
REF
+ 0.5
-
最大
-
V
REF
- 0.5
单位
V
V
I
CC
规格和条件
(注1-5 ,10,12 ,14, 46)的
V
CC
, V
CCQ
= + 2.5V ±0.2V ; -55°C
T
A
+125°C
M
AX
参数/条件
工作电流:一家银行;主动预充电;吨
RC
= t
RC
(分钟) ;吨
CK
= t
CK
(MIN) ; DQ , DM和DQS输入
每个时钟cyle改变一次;地址和控制输入的变化的每两个时钟周期; ( 22 , 47 )
工作电流:一家银行;主动读预充电;突发= 4;吨
RC
= t
RC
(分钟) ;吨
CK
= t
CK
(分钟) ;我
OUT
=
0毫安;地址和控制输入每个时钟周期改变一次( 22 , 47 )
预充电掉电待机电流:所有银行闲置;掉电模式;吨
CK
= t
CK
(MIN) ; CKE
=低; ( 23 , 32 , 49 )
空闲待机电流: CS = HIGH ;所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(MIN) ; CKE =高;地址和其他控制
输入每个时钟周期变化一次。 V
IN
= V
REF
对DQ , DQS ,和DM (50)
ACTIVE POWER- DOWN待机电流:一是银行主动;掉电模式;吨
CK
= t
CK
(MIN) ; CKE =
LOW ( 23 , 32 , 49 )
主动待机电流: CS = HIGH ; CKE =高;一家银行;主动预充电;吨
RC
= t
RAS
(MAX) ;吨
CK
=
t
CK
(MIN) ; DQ , DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其它控制输入变化
一旦每个时钟周期(22)
工作电流:胸围= 2 ;读取;可连拍;一家银行主动;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK
(分钟) ;我
OUT
= 0毫安( 22 , 47 )
工作电流:胸围= 2 ;写;可连拍;一家银行主动;地址和控制输入
每个时钟周期改变一次;吨
CK
= t
CK
(MIN) ; DQ , DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍( 22 )
自动刷新当前
自刷新电流: CKE 0.2V
t
REFC
= t
RFC
(最小值) (49)
t
REFC
= 7.8125µs (27, 49)
标准(11)
符号
333Mbs
520
640
20
180
140
250Mbs
200Mbs单位
266Mbs
520
640
20
180
140
460
580
20
160
120
I
CC0
I
CC1
I
CC2P
I
CC2F
I
CC3P
I
CC3N
I
CC4R
I
CC4W
I
CC5
I
CC5A
I
CC6
I
CC7
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
200
200
180
660
780
1,160
40
20
1,620
660
640
1,160
40
20
1,600
580
540
1,120
40
20
1,400
工作电流:四大行交错读取( BL = 4)自动预充电,T
RC
=t
RC
(分钟) ;吨
CK
= t
CK
(分钟) ;
地址和控制输入过程中主动读取或写入命令只改变。 ( 22 , 48 )
2006年7月
启5
11
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