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W3H64M72E-ESI 参数 Datasheet PDF下载

W3H64M72E-ESI图片预览
型号: W3H64M72E-ESI
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内容描述: 64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装 [64M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 942 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
CAS延迟( CL )
CAS延迟( CL )是德网络连接位所定义M4 , M6 ,如图所示
在图5中CL是延迟,在时钟周期之间的
一个READ命令的登记和可用性
输出数据的网络连接RST位。的CL可以设置为3 ,4,5 ,
或6个时钟,根据速度等级选项是
使用。
DDR2 SDRAM不支持任何半时钟延迟。
保留的国家不应该被用来作为未知操作
或不符合将来的版本可能会导致。
W3H64M72E-XSBX
高级*
DDR2 SDRAM还支持一个名为发布功能
CAS附加延迟( AL ) 。此功能允许READ
命令之前应当发出
t
RCD (MIN)通过延迟
内部命令的DDR2 SDRAM由AL时钟。
CL = 3和CL = 4的例子示于图6;
两个假设AL = 0。如果一个READ命令被注册
在时钟边沿
n,
而CL为
m
时钟,该数据将是
可用的时钟沿标称一致
N + M (这
假定AL = 0)。
图6 - CAS延迟( CL )
CK #
CK
命令
DQS , DQS #
DQ
CL = 3( AL = 0)的
D
OUT
n
D
OUT
n+1
D
OUT
n+2
D
OUT
n+3
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
CK #
CK
命令
DQS , DQS #
DQ
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
D
OUT
n
D
OUT
n+1
D
OUT
n+2
D
OUT
n+3
CL = 4( AL = 0)的
突发长度= 4
发布CAS #附加延迟( AL ) = 0
显示与标称吨交流,T DQSCK和t DQSQ
数据转换
不在乎
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第1版
11
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com