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W3H64M72E-ESI 参数 Datasheet PDF下载

W3H64M72E-ESI图片预览
型号: W3H64M72E-ESI
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内容描述: 64M X 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA多芯片封装 [64M x 72 DDR2 SDRAM 208 PBGA Multi-Chip Package]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 30 页 / 942 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
扩展模式寄存器( EMR )
扩展模式寄存器控制功能之外
那些由模式寄存器控制;这些附加
功能是DLL使能/禁止,输出驱动强度,
片上终端(ODT) (RTT) ,贴AL,片外驱动器
阻抗校准( OCD ) , DQS #启用/禁用,
RDQS / RDQS #启用/禁用,并且输出禁用/启用。
这些功能是通过在显示的位控制
图7.电子病历是通过LOAD MODE编程
( LM)的命令和将保留所存储的信息
W3H64M72E-XSBX
高级*
直到它被重新编程或设备断电。
重新编程的电子病历不会改变的内容
存储器阵列,只要它能够被正确地执行。
当所有银行都空闲的EMR必须加载和
没有脉冲串在进行中,并且控制器必须等待
在特定网络版时间
t
启动任何后续的前MRD
操作。违反任一这些要求可能
导致unspeci网络编辑操作。
图7 - 扩展模式寄存器定义
BA2 BA1 BA0 A13 A12
A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
A2
A1 A0
地址总线
16 15 14
太太
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
扩展模式
注册(防爆)
0
2
OUT
RDQS DQS # OCD计划
R
TT
发表CAS #
R
TT
消耗臭氧层物质的DLL
E12
0
1
输出
启用
E0
E6 E2 RTT (标称)
0
0
0
1
0
1
R
TT
75Ω
150
50Ω
0
1
DLL ENA BLE
启用(正常)
禁用(测试/调试)
E11 RDQ S婀娜BLE
0
1
No
是的
1
1
E1
0
1
输出驱动强度
全强度( 18
目标)
降低强度( 40
目标)
E10 DQ S #婀娜BLE
0
1
启用
关闭
E5 E4 E3邮政ð CA中#A dditive Laten CY ( AL )
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
2
3
4
版权所有
版权所有
版权所有
E9 E8 E7
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
OCD操作
强迫症不支持
版权所有
版权所有
版权所有
OCD默认状态
1
1
0
1
1
1
1
E16 E15 E14
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
0
1
莫日注册查询STER套装
模式寄存器设置( MRS)
扩展模式寄存器( EMRS )
扩展模式寄存器( EMRS2 )
扩展模式寄存器( EMRS3 )
注: 1,在初始化过程中,所有三个位必须设置为"1"的OCD默认状态,
然后必须设定为"0"之前初始化是音响nished ,如在详细
初始化程序。
2 .. E13 ( A13 )不使用此设备上。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2006年3月
第1版
12
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com