怀特电子设计
注意事项：
1.所有电压参考VSS 。
2.试验AC时间，我
CC
和电气交流和直流特性，可以进行
在标称参考/电源电压水平，但相关的说明和
设备操作，保证了全电压范围特定网络版。 ODT被禁用
所有测量不在ODT -特定网络下进行。
3.输出与等效负载测量：
V
TT =
V
CCQ
/2
25Ω
产量
(V
OUT
)
参考
点
W3HG128M64EEU-D4
高级*
15.
16.
17.
18.
19.
20.
4.交流的时间和我
CC
测试可以使用V
IL
-to -V
IH
到1.0V ，在测试摆动
环境参数和特定网络阳离子保证了特定网络编辑交流输入
在正常使用条件下的水平。压摆率用于测试输入信号
该装置是1.0V / ns的用于信号V的范围
IL
交流（AC）和V
IH
交流（AC） 。摆
率小于1.0V / ns的要求的时序参数被降级为特定网络版。
5.交流和直流输入电平特定网络阳离子如德网络定义的SSTL_18标准
（即，接收器能有效地切换为横过AC输入信号的结果
水平将保持原先的状态，只要信号不响向后上方
[下面] DC输入低[高]级） 。
6.有两套上市命令/地址值：吨
ISA
, t
IHA
和T
ISB
, t
IHB
。该
t
ISA
, t
IHA
值（仅供参考）相当于吨的基线值
ISB
, t
IHB
在V
REF
当转换速率为1V / ns的。基线值，T
ISB
, t
IHB
，是JEDEC
德网络定义的值，从逻辑跳变点参考。吨
ISB
从V引用
IH
（AC）的
一个上升信号和V
IL
（AC ），用于下降信号，而吨
IHB
从V引用
IL
（DC）的一上升信号和V
IH
（DC ），用于下降信号。如果命令/地址
压摆率是不等于1伏/毫微秒，则该基线值必须降低。
7.所列的值是用于差分DQS选通（DQS和DQS ＃ ）与
为2 V / ns的（1V / ns的每个信号）的差分压摆率。有两组值
上市：
t
DSA 。
t
DHA和
t
DSB ，
t
DHB 。该
t
DSA ，
t
DHA值（仅供参考），有
相当于基准值
t
DSB ，
t
DHB在V
REF
当转换速率是2
V / ns的差异。该基准值，
t
DSB ，
t
DHB ，是JEDEC -DE连接定义值，
从逻辑跳变点引用。
t
DSB从V引用
IH
（ AC）的上升
信号和V
IL
（AC ），用于下降信号，而
t
DSB从V引用
IL
（DC）的一
上升信号和V
IH
（DC ），用于下降信号。如果差分DQS的压摆率是不
等于2 V / ns的，那么基线值必须降低。如果DQS差
频闪功能未启用，那么DQS选通脉冲是单端的，基准
值不适用，而定时不引用到逻辑跳变点。单
端的DQS数据定时是参照DQS交叉V
REF
.
t
8.赫兹
t
LZ的转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据
转场。这些参数不是引用到一个特定的直流电压水平，但
当指定的设备输出不再驾驶（
t
HZ）或开始驱动（
t
LZ ） 。
9.这一最大值被从引用的试验负荷而得。
t
HZ （ MAX）为准
过度
t
DQSCK （MAX ）+。
t
RPST （MAX）中的条件。
10.
t
LZ （ MIN）将战胜一个
t
DQSCK （MIN ）+。
t
RPRE （MAX）中的条件
11. "Don't Care"状态后同步码结束后的意图是DQS-
驱动信号要么是高，低或高阻抗，而任何信号过渡
在输入中切换区域必须按照有效的输入要求。即如果DQS的
转换为高（高于V
IH
DC （分钟），那么它一定不能转变为低（低于V
IH
（DC）的
之前
t
DQSH （MIN） 。
12.这不是一个装置的限制。该装置将具有负的值进行操作，但系统
表现可能是由于公交车的周转会下降。
13.建议的DQS有效（高电平或低电平）上或在写入前
命令。如图（ DQS从高阻将逻辑LOW）的情况下适用于当
没有写入以前在总线上的进步。如果前面的写在
进展， DQS可以在这段时间内为高电平，这取决于
t
DQSS 。
14.刷新周期为64ms的（商业）或32毫秒（工业） 。这相当于
7.8125μs （商业）或3.9607μs （工业）的平均刷新率。然而，一
刷新命令必须每隔70.3μs断言至少一次或
t
RFC （MAX）。
2006年3月
第0版
10
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为了确保所有银行的所有行正确刷新， 8,192刷新命令
必须发出每64毫秒。
引用的每个输出组： X4 = DQS与DQ0 - DQ3 ; X8 = DQS与
DQ0 - DQ7 ; X16 = LDQS与DQ0 - DQ7 ;和DQ8 - DQ15 UDQS 。
CK和CK ＃输入转换率被引用在1 V / ns的（ 2 V / ns的，如果测得的
差异） 。
数据有效窗口推导出实现其他特定网络阳离子 -
t
HP 。 （
t
CK/2),
t
DQSQ和
t
QH （
t
QH =
t
惠普 -
t
QHS ） 。数据有效窗口额定值下降的直接
成比例的时钟占空比和一个实际数据有效窗口，可以得到的。
读取和写入，支持自动预充电，方可发出
t
RAS （ MIN ）是自SATIS网络版
t
RAS锁定功能支持DDR2 SDRAM 。
V
IL
/V
IH
DDR2过冲/下冲。
t
DAL = （ NWR ） + （
t
RP /
t
CK ） 。这些术语，如果尚未的整数，应
向上舍入到下一个整数。
t
CK是指应用程序时钟周期; NWR指
同
t
WR编程为4个时钟将有
t
DAL = 4 + （ 15ns的/ 3.75ns ）时钟=
4 +（4）个时钟= 8个时钟周期。
最小内部读取到预充电时间。这是从最后的时间
4位预取开始的时候可以发出预充电命令。 4位
预取是当READ命令在内部锁存的READ ，使得数据将
输出CL后。该参数仅适用于当
t
RTP/(2x
t
CK） > 1 ，如
频率低于533 MHz的时tRTP = 7.5ns更快。如果tRTP / （ 2×
t
CK） ≤ 1，则
方程AL + BL / 2适用。 tRAS的（MIN）也必须是SATIS音响编辑为好。在DDR2
SDRAM将自动延迟内部预充电命令，直到
t
RAS
（ MIN ）已SATIS网络版。
工作频率只允许在自刷新模式改变，预充电
掉电模式和系统复位。
t
DAL = （ NWR ） + （
t
RP /
t
CK） ：对于每个上述条款，如果尚未整数，
圆到下一个最高的整数。
t
CK是指应用程序时钟周期;
AC操作条件的注意事项： NWR指
t
存储在WR参数
MR [ 11,10,9 ] 。例如：对于-533Mb /秒
t
CK = 3.75与NS
t
WR编程为4
时钟。
t
DAL = 4 + （15纳秒/ 3.75纳秒）时钟= 4 + （4）个时钟= 8个时钟周期。
ODT关闭时间
t
AOF （MIN）是在设备启动时，关闭的ODT电阻。
ODT关闭时间
t
AOF （ MAX ）是当总线处于高阻抗。无论是从测量
t
AOFD 。
此参数在任意两个时钟最低要求
t
CK 。
t
延迟是由下式计算
t
IS +
t
CK +
t
IH使CKE登记为低
前CK保证， CK ＃被除去系统复位状态。
t
ISXR等于
t
IS和在自刷新退出用于CKE建立时间。
不超过4组主动命令可以在一个给定的发
t
一汽（分钟）
期。
t
RRD （分钟）限制仍然适用。该
t
一汽（分钟）参数适用于所有8
银行DDR2的设备，无论银行已经打开的还是关闭的数目。
t
RPA定时应用发出预充电（ ALL ）命令时，无论
的组的数目已经打开或关闭。如果单个银行预充电
命令发出后，
t
RP时序适用。
t
RPA （ MIN ），适用于所有8银行DDR2
设备。
值是最小脉冲宽度，时钟注册的数量不限。
这仅适用于读周期。写周期通常需要额外的时间
由于
t
自动预充电期间WR 。
t
CKE的3个时钟（ MIN ）表示CKE必须在三个连续注册
正面的时钟边沿。 CKE必须保持在有效的输入电平所花费的整个时间
实现注册的3个时钟。因此，任何CKE过渡期后， CKE不得
期间的时间段，从它的有效电平转变
t
IS + 2×
t
CK +
t
IH 。
这个参数不是引用到一个特定的直流电压水平，但特定网络版时，
设备输出不再找到（
t
RPST ）或开始驾驶（
t
RPRE ） 。
当DQS用于单端，下限由100ps的减少。
的半时钟
t
AOFD的2.5
t
CK假定50/50时钟占空比。这半小时
值必须由半时钟占空比误差量降额。例如，如果
时钟占空比为47/53 ，
t
AOFD实际上是2.5 - 0.03 ，或2.47为
t
AOF
（MIN）和2.5± 0.03或2.53为
t
AOF （MAX）。
在时钟的
t
CK
AVG
是在任何连续200时钟的平均时钟
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