怀特电子设计
V
CC
= +1.8V ±0.1V
AC特性
参数
从CK / CK ＃ DQ输出访问时间
从CK / CK ＃数据输出高阻抗窗口
从CK / CK ＃数据输出低阻抗窗口
从CK / CK ＃数据输出低阻抗窗口
DQ和DM输入建立时间相对于DQS
数据
DQ和DM输入保持相对DQS时间
DQ和DM输入建立时间相对于DQS
DQ和DM输入保持相对DQS时间
DQ和DM输入脉冲宽度（每个输入）
数据保持倾斜因子
DQ- DQS持有， DQS到FI RST DQ去nonvalid ，每
ACCESS
数据有效输出窗口（ DVW ）
DQS输入高电平脉冲宽度
数据选通
DQS输入低脉冲宽度
从CK / CK ＃ DQS输出访问时间
DQS下降沿到CK上升 - 建立时间
DQS从CK瑞星下降沿 - 保持时间
t
t
t
t
t
W3HG128M64EEU-D4
先进
交流工作条件（续）
符号
t
806
民
-
-450
t
t
t
665
民
-
-450
t
t
t
534
民
-
-500
t
t
t
403
民
-
-600
t
t
t
最大
340
+450
交流电压（ MAX）的
最大
340
+450
交流电压（ MAX）的
最大
400
+500
交流电压（ MAX）的
最大
450
+600
交流电压（ MAX）的
单位
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
t
笔记
47
43
8, 9, 43
8, 10, 43
8, 10, 43
7, 15,
19
7, 15,
19
7, 15,
19
7, 15,
19
37
47
15, 17, 47
15, 17
37
37
40
37
37
QHS
t
AC
HZ
t
LZ1
LZ
2
AC （ MIN ） AC （ MAX ） AC （ MIN ） AC （ MAX ） AC （ MIN ） AC （ MAX ） AC （ MIN ） AC （ MAX）
t
2*
t
AC
（分钟）
t
交流电压（ MAX）的
2*
t
AC
（分钟）
t
交流电压（ MAX）的
2*
t
AC
（分钟）
t
交流电压（ MAX）的
2*
t
AC
（分钟）
t
交流电压（ MAX）的
t
DS
a
300
300
100
175
0.35
340
t
300
300
100
175
0.35
340
t
350
350
100
225
0.35
400
t
400
400
150
275
0.35
450
t
t
DH
a
DS
b
t
t
DH
b
DIPW
t
CK
QHS
t
ps
ps
ns
t
t
QH
HP- QHS
t
t
HP- QHS
t
t
t
HP- QHS
t
t
t
HP- QHS
t
t
t
DVW
QH
QH
QH
QH
- DQSQ
t
- DQSQ
- DQSQ
- DQSQ
DQSH
DQSL
t
t
0.35
0.35
-400
0.2
0.2
+400
0.35
0.35
-400
0.2
0.2
+400
0.35
0.35
-450
0.2
0.2
+450
0.35
0.35
-500
0.2
0.2
+500
CK
CK
t
DQSCK
DSS
DSH
ps
t
t
CK
CK
注意：
• AC特定连接的阳离子是基于
美光
组件。其它DRAM制造特定网络连接的阳离子可以是不同的。
2006年3月
第0版
7
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