怀特电子设计
W3HG2128M72ACER-AD6
初步
DDR2我
CC
规格和条件
仅包括DDR2 SDRAM组件
符号建议条件
I
CC0
经营一家银行主动预充电电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MIN （我
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;
地址总线输入的切换;数据总线输入切换
经营一家银行主动阅读的预充电电流;
I
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MIN （我
CC
), t
RCD
=
t
RCD
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入切换;
数据模式是相同的，因为我
CC4W
预充电掉电电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其它的控制和地址总线输入是稳定的;数据
总线输入浮动
预充电安静的待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线输入是
稳定的;数据总线输入浮动
预充电待机电流;
所有银行闲置;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃高;其它的控制和地址总线输入是
开关;数据总线输入切换
主动掉电电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
） ; CKE低;其他的控制和
地址总线的投入是稳定的;数据总线输入浮动
快速PDN退出刘健（ 12 ） = 0
慢PDN退出刘健（ 12 ） = 1
806
待定
665
1,720
534
1,530
403
1,530
单位
mA
I
CC1
待定
1,980
1,800
1,710
mA
I
CC2P
待定
180
180
180
mA
I
CC2Q
待定
1,800
1,440
1,260
mA
I
CC2N
待定
1,980
1,260
360
1,620
1,080
360
1,440
900
360
mA
mA
mA
待定
待定
I
CC3P
I
CC3N
当前待机电流;
所有银行开放;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
= t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平之间
有效的命令;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入是
开关
工作突发写入电流;
所有银行开放，连续的突发写入; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
=
t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入
在切换;数据总线输入切换
工作突发读取电流;
所有银行开放，连续的突发读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ，AL = 0;吨
CK
= t
CK
(I
CC
), t
RAS
=
t
RAS
MAX（我
CC
), t
RP
= t
RP
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;地址总线输入
在切换;数据模式是相同的，因为我
CC4W
连拍自动刷新电流;
t
CK
= t
CK
(I
CC
） ;在每个T刷新命令
RFC
(I
CC
）区间; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效的
命令;其他的控制和地址总线输入切换;数据总线输入切换
自刷新电流;
CK和CK ＃在0V ; CKE 0.2V ;其它的控制和地址总线输入
是浮动的;数据总线输入浮动
经营银行交织读取电流;
所有银行交错读取，我
OUT
= 0毫安; BL = 4， CL = CL（我
CC
） ， AL = T
RC
D（我
CC
)-1*t
CK
(I
CC
); t
CK
= t
CK
(I
CC
),
t
RC
= t
RC
(I
CC
), t
RRD
= t
RRD
(I
CC
), t
RCD
= 1*t
CK
(I
CC
） ; CKE为高电平， CS ＃为高电平有效命令的;
地址总线的投入是稳定的过程中取消选择;数据模式是相同的，因为我
CC4R
;参阅
具体的时序条件下页
待定
2,340
1,980
1,620
mA
I
CC4W
待定
2,880
2,430
2,070
mA
I
CC4R
待定
3,240
2,700
2,160
mA
I
CC5B
待定
7,560
7,200
6,840
mA
I
CC6
待定
180
180
180
mA
I
CC7
待定
5,130
4,770
4,230
mA
注：我
CC
指标是基于
美光
组件。其它DRAM制造商参数可以是不同的。
2006年5月
启5
5
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