怀特电子设计
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入负载电流（ 1 ）
A9输入负载电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
, #V
CC =
V
CC（ MAX）的
V
CC
“到V
CC（ MAX）的
; A9 = 12.5V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, # V
CC
=
V
CC（ MAX）的
CE＃ = V
IL
＃ ， OE ＃ = V
IH
, V
CC
=
V
CC（ MAX）的
; ＃ F = 1MHz时，字节模式
CE＃ = V
IL
＃ ， OE ＃ = V
IH
, V
CC
=
V
CC（ MAX）的
; ＃ F = 5MHz时，话语模式
CE＃ = V
IL
＃ ， OE ＃ = V
IH
, V
CC
=
V
CC（ MAX）的
; F = 10MHz时
CE＃ = V
IL
＃ ， OE ＃ = V
IH
, V
CC
=
V
CC（ MAX）的
V
CC
= V
CC （MAX） ;
V
IO
= V
CC
; OE ＃ =
V
IH
; # V
IL
= V
SS
+ 0.3V/-0.1V; #
CE ＃ ， RESET ＃ = V
SS
± 0.3V
V
CC
= V
CC （MAX） ;
V
IO
= V
SS
+ 0.3V/-
0.1V ; RESET ＃ = V
SS
± 0.3V
V
CC
= V
CC （MAX） ;
V
IO
= V
CC
; V
IH =
V
CC
± 0.3V; #V
IL
= V
SS +
0.3V/-
0.1V ; WP ＃ / A
CC
= V
IH
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
, V
CC
=
V
CC（ MAX）的
， ＃ WP ＃ / A
CC
= V
IH
WP ＃ / A
CC
针
V
CC
针
-0.1
0.7× V
IO
V
CC
= 2.7 - 3.6V
V
CC
= 2.7 - 3.6V
I
OL
= -100 µA
I
OH
= -100 µA
11.5
11.5
0.85× V
IO
2.3
民
W764M32V-XSBX
高级*
典型值
最大
WP / ACC ： ± 2.0
其他： ± 1.0
35
±1.0
单位
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
µA
µA
µA
24
120
1
200
4
4
4
40
200
80
200
10
320
20
20
20
80
320
0.3× V
IO
V
IO
+ 0.3
12.5
12.5
0.15 x垂直
IO
2.5
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
I
CC1
V
CC
内页读电流（ 1 ）
V
CC
主动擦除/编程电流（ 2,3 ）
V
CC
待机电流
V
CC
复位电流
自动休眠模式（ 4 ）
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
A
CC
加快现有项目
输入低电压（ 5 ）
输入高电压（ 5 ）
电压ACC擦除/编程
促进
电压自动选择和临时
部门撤消
输出低电压（ 5 ）
输出高电压（ 5 ）
低V
CC
锁定电压
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH
V
LKO
mA
V
V
V
V
V
V
V
注意事项：
1.我
CC
电流通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
2. I
CC
积极而嵌入式擦除或嵌入式编程或写缓冲区编程正在进行中。
3.未经100％测试。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+为30ns 。
5. V
IO
= 1.65-1.95V或2.7-3.6V 。
6. V
CC
= 3 V和V
IO
= 3V或1.8V 。当V
IO
为1.8V ， I / O引脚不能在3V工作。
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2006年3月
第2版
5
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