怀特电子设计
概述
该W78M32V - XBX是256MB， 3.3伏只页面模式
和同时读取/写入闪存设备。
该器件提供快速页面访问时间允许高
高速微处理器无需等待状态运行。
为了消除总线争用该设备具有单独的芯片
启用（ CS ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）
控制。零同步读/写操作
潜伏期。
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器空间
为4组，它可以被认为是四个单独的
存储阵列就某些操作有关。
该装置可提高由整个系统的性能
允许主机系统编程或擦除在一家银行，
然后立即和同时从另一个读
零延迟（有两个同时操作的银行
操作在任一时刻） 。这种释放系统从
等待完成编程或擦除操作，
大大提高了系统的性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区
精读网络gurations 。该银行安排如下：
W78M32V-XBX
42.4 JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器的内容
作为输入到一个内部状态机，用于控制
擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和
擦除操作。读数据从器件中是类似
从其他Flash或EPROM器件读取。
器件编程时通过执行程序
命令序列。解锁旁路模式有利于
通过要求只有两个写周期更快的编程时间
编程数据，而不是四个。设备擦除发生了
执行擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除
操作完成后通过阅读DQ7 （数据＃投票）
和DQ6 （切换）
状态位。
编程或擦除周期后，
已经完成时，该装置已准备好读取数组数据
或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储部门
可擦除和重新编程，而不影响数据
其他部门的内容。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。硬件部门保护
功能禁用这两个程序在任何擦除操作
组合存储部门。这可以实现
在系统或通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户把擦除搁置任何一段时间内读取数据
从或程序没有被选择的数据相关，任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。如果
读从SecSi部门区域需要（一次性
程序区）后擦除挂起，那么用户必须
使用适当的命令序列以进入和退出该
区。
该器件提供两种省电功能。当
地址已稳定的时间一个特定的编量
器件进入自动休眠模式。该系统
还可以将设备进入待机模式。动力
消耗在这两种模式下大大降低。
银行
A
B
C
D
扇区
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
48兆位（ 32千瓦×96 ）
48兆位（ 32千瓦×96 ）
16兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×31 ）
页面模式功能
页大小是8个字。经过最初的页面访问
完成时，页面模式能提供快速阅读
该网页内的任意位置访问速度。
标准闪存
特点
该设备需要进行读取和3.3伏电源
写功能。内部生成的，稳定的电压
提供了用于在编程和擦除操作。
该设备完全指令集的兼容
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2006年4月
第3版
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