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W78M32V-XBX 参数 Datasheet PDF下载

W78M32V-XBX图片预览
型号: W78M32V-XBX
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内容描述: 8Mx32闪光3.3V页模式同步读/写操作的多芯片封装 [8Mx32 Flash 3.3V Page Mode Simultaneous Read/Write Operation Multi-Chip Package]
分类和应用:
文件页数/大小: 54 页 / 735 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
设备总线操作
本节介绍的要求和使用
设备总线操作,这是通过启动
内部命令寄存器。命令寄存器本身
不占用任何可寻址的内存位置。该
寄存器是用于存储该命令的闩锁,以及
以执行所需要的地址和数据信息
W78M32V-XBX
命令。该寄存器的内容作为输入
到内部状态机。状态机输出
决定了设备的功能。
表1
列出的设备
总线操作中,输入和它们需要的控制水平,
并且所得到的输出。以下小节介绍
每个更详细,这些操作。
表1.设备的总线操作
3
手术
待机
输出禁用
RESET
临时机构撤消(高
电压
CS #
L
L
V
IO
±
0.3 V
L
X
X
OE #
L
H
X
H
X
X
WE#
H
L
X
H
X
X
RESET#
H
H
V
IO
±
0.3 V
H
L
V
ID
WP # / ACC
X
X
X(注2 )
X
X
X
地址
(A22-A0)
A
IN
A
IN
X
X
X
A
IN
DQ15-DQ0
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH ,
V
ID
= 11.5-12.5 V, V
HH
= 8.5-9.5 V, X =无所谓, SA =扇区地址,
IN
=地址,D
IN
=数据中,
D
OUT
=数据输出
注意事项:
1,行业保护和部门撤消功能,也可以通过编程设备上实现。看高电压扇区保护部分。
写扇区0 , 1 ​​, 268 , 269或2时, WP # / ACC要高。
3.对于每个芯片
要求对于阅读
数组数据
从输出读阵列数据,系统必须驱动
在OE #和适当的CS #引脚V
IL
。 CS #为电源
控制权。 OE #是输出控制和门阵列数据
的输出引脚。 WE#应保持在V
IH 。
内部状态机被设置为在读数组数据
设备上电,或一个硬件复位之后。这保证
该存储内容的无杂散变发生
期间的功率转换。无命令是必要的,
此模式以获得阵列的数据。标准的微处理器
读该断言有效地址在设备上的周期
地址输入产生对设备数据的有效数据
输出。每家银行保持启用,直到读访问
命令寄存器的内容被改变。
参阅
AC特性
表计时特定网络阳离子
和图11的时序图。我
CC1
DC特性表代表了目前活跃
特定网络阳离子读取阵列数据。
2006年4月
第3版
4
随机读取(非页读)
地址访问时间(t
)等于从稳定的延迟
地址有效输出数据。芯片使能访问
时间(t
CS
)是从稳定的地址和稳定的延迟
CS #为在输入输出有效数据。输出使能
存取时间是从将OE #的下降沿的延迟
以在输出端的输入有效的数据(假设地址
一直保持稳定至少吨
–t
OE
时间)。
页面模式读取
该设备能够快速页面方式读取和是
与页模式掩膜ROM兼容的读操作。
这种模式提供了更快的随机读取访问速度
一个页面内的位置。地址位A22- A3选择8
字的页面,并且地址位A2 - A0选择一个特定的C字
内的页面。这是与一个异步操作
微处理器提供的特定网络连接C字位置。
随机或初始页面的访问为t
或T
CS
随后的页读访问(只要该位置
特定网络连接编由微处理器落在该页面内)是
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。