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W7G1M32SVB120BNI 参数 Datasheet PDF下载

W7G1M32SVB120BNI图片预览
型号: W7G1M32SVB120BNI
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内容描述: 8MB / 4MB ( 2x1Mx32 / 1Mx32 ) CMOS ,引导扇区闪存模块 [8MB/4MB (2x1Mx32 / 1Mx32) CMOS, Boot Sector Flash Memory Module]
分类和应用: 闪存内存集成电路
文件页数/大小: 10 页 / 169 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
闪存部件数矩阵
W7G1M32SVx-BN
W7G21M32SVx-BN
初步
W¯¯ 7个G 1 2 M 3 2 S V X XX BN X
怀特电子设计
FL灰
FR4金触点
银行
模块地址深度: 1M
模块总线宽度: X32
组件宽度: X16
电压: 3.3V
T =顶/ B =底部引导块,
速度: 70 , 90 , 120
包装: 80引脚SIMM
温度范围:
C = 0°C至70°C商用
I = -40°C至85°C工业
2004年2月
第2版
9
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com