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    W7G1M32SVB120BNI 参数 Datasheet PDF下载

    W7G1M32SVB120BNI图片预览
    型号： W7G1M32SVB120BNI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8MB / 4MB （ 2x1Mx32 / 1Mx32 ） CMOS ，引导扇区闪存模块 [8MB/4MB (2x1Mx32 / 1Mx32) CMOS, Boot Sector Flash Memory Module]
    分类和应用： 闪存内存集成电路
    文件页数/大小： 10 页 / 169 K
    品牌： WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
     浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W7G1M32SVB120BNI的Datasheet PDF文件第9页  
    怀特电子设计
    W7G1M32SVx-BN
    W7G21M32SVx-BN
    初步
    存在检测真值表
    模块组织
    1M ×32
    2× 1M ×32
    PD1
    1
    0
    PD2
    0
    1
    PD3
    1
    0
    PD4
    0
    0
    模块速度辨识存在检测PIN
    速度
    70纳秒
    90纳秒
    120纳秒
    PD5
    0
    1
    0
    PD6
    0
    1
    1
    PD7
    1
    0
    0
    图注： 0 =连接到GND
    1 =开路（无连接）
    电容
    F = 1.0MH
    Z
    , V
    IN
    = V
    CC
    或V
    SS
    1Meg
    参数
    地址线
    数据线
    芯片&写使能线
    输出使能线
    符号
    最大
    CA
    干熄焦
    CC
    CG
    35
    15
    15
    35
    最大
    70
    30
    30
    70
    pF
    pF
    pF
    pF
    2x1Meg
    单位
    2004年2月
    第2版
    4
    怀特电子设计公司• （ 602 ） 437-1520 •www.wedc.com

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