怀特电子设计
写
写操作开始时两者CS ＃和WE ＃
低， OE＃为高。该EEPROM器件支持
既是CS ＃和WE ＃控制的写周期。的地址是
由任CS＃或WE ＃的下降沿，锁存为准
去年发生。
该数据由上升沿内部锁存任
CS ＃或WE ＃ ，先到为准科幻RST 。字节写操作
会自动继续完成。
WE512K8 ， WE256K8 ，
WE128K8-XCX
写周期时序
图6和图7示出了写周期的时序关系。
写周期开始地址的应用程序，写使能
和片选。片选是通过将完成
在CS ＃线为低。写使能由设置在WE的
线为低。写周期开始时的最后一个或者CS ＃的
或WE ＃变低。
从高分到低分的WE ＃线的过渡也将启动
内部150μsec延时定时器，允许页面模式
操作。从高分到每个后续WE＃转型
在完成的150μsec时间之前发生的低
出将重新启动定时器从零。的操作
计时器是一样的可再触发单稳态电路。
AC写特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间， TYP = 6ms的
地址建立时间
把脉冲宽度（ WE＃或CS ＃ ）
片选建立时间
地址保持时间（ 1 ）
数据保持时间
芯片选择保持时间
数据建立时间
输出使能建立时间
输出使能保持时间
写脉冲宽高
符号
t
WC
t
AS
t
WP
t
CS
t
AH
t
DH
t
CH
t
DS
t
OES
t
OEH
t
WPH
512K ×8
民
10
150
0
125
10
0
100
10
10
50
最大
10
256K ×8
民
30
150
0
50
0
0
100
30
0
50
最大
10
128K ×8
民
30
150
0
50
0
0
100
30
0
50
最大
10
单位
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1， A17和A18必须保留通过WE ＃和CS ＃低脉冲有效，为512K ×8 。
A15 ， A16 ， A17和必须保持通过WE ＃和CS ＃低脉冲有效，为256K ×8 。
A15和A16必须保留通过WE ＃和CS ＃低脉冲有效，为128K ×8 。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2000年5月
第1版
6
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