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WE256K8-300CQA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: WE256K8-300CQA
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内容描述: 512Kx8 CMOS EEPROM , WE512K8 - XCX , SMD 5962-93091 [512Kx8 CMOS EEPROM, WE512K8-XCX, SMD 5962-93091]
分类和应用: 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 13 页 / 617 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
数据轮询
操作数据轮询允许更快的方法
写EEPROM 。实际时间以完成
存储器编程周期比保证更快
最大。
这EEPROM具有方法来确定何时
内部编程周期完成。经过
写周期被启动时,EEPROM将响应读取
周期,以提供微处理器与状态
编程周期。状态包括的
写最后一个数据字节返回的数据位I / O
7
在编程周期的补充,以及I / O
7
完成后真实的。
WE512K8 , WE256K8 ,
WE128K8-XCX
数据轮询允许一个简单的测试位操作
确定EEPROM的状态。在内部
编程周期的最后一个字节写入遗嘱读
产生数据的补上的I / O
7
。例如,
如果写入的数据包括了I / O
7
=高,则数据
读回将包括I / O的
7
=低。
轮询字节写操作将包括以下的
步骤:
1.
2.
3.
4.
5.
写字节EEPROM
存储写入最后一个字节和最后一个地址
释放一个时间片到其他任务
读取字节的EEPROM - 最后一个地址
比较I / O
7
以储值
a)如果不同,写入周期没有完成,去
步骤3 。
b)若相同,写周期完成后,请转到步骤1或
步骤3 。
数据查询交流特性
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V , -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
数据保持时间
输出使能保持时间
输出使能到输出延迟
写恢复时间
符号
t
DH
t
OEH
t
OE
t
WR
10
10
0
512Kx8
最大
0
0
0
256Kx8
最大
0
0
0
128Kx8
最大
ns
ns
ns
ns
单位
100
100
100
图8 - 数据查询波形
WE
1-4
#
CS
1-4
#
OE #
I / O
7
地址
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2000年5月
第1版
8
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com