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WED2DL32512V25BC 参数 Datasheet PDF下载

WED2DL32512V25BC图片预览
型号: WED2DL32512V25BC
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内容描述: 512Kx32同步管道突发式SRAM [512Kx32 Synchronous Pipeline Burst SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 146 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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WED2DL32512V
贪睡模式
暂停模式是低电流, “掉电”模式,其中
取消选择器件,电流减小到我
SB2Z
。的持续时间
暂停模式是由时间长度ZZ是HIGH状态所决定的。
在设备进入暂停模式,除ZZ所有输入变得
选通输入和被忽略。 ZZ是一个异步,高电平有效
输入端,使设备进入暂停模式。当ZZ
变成为逻辑高电平时,我
SB2Z
后的设定时间t被保
ZZ
is
会见。任何读或写操作挂起时,器件进入
暂停模式不能保证成功完成。 There-
前,暂停模式不能启动,直到有效申请中
操作完成。
贪睡模式
描述
在暂停模式电流
ZZ主动输入忽视
ZZ不活动的输入采样
ZZ积极打盹电流
ZZ不活跃,退出当前贪睡
条件
ZZ
VIH
符号
I
SB2Z
t
ZZ
t
RZZ
t
ZZI
t
RZZI
最大
10
2(t
KC
)
2(t
KC
)
单位
mA
ns
ns
ns
ns
笔记
1
1
1
1
2(t
KC
)
图。 2
贪睡模式时序图
时钟
t
ZZ
ZZ
t
RZZ
t
ZZI
I
供应
t
RZZI
I
ISB2Z
所有的输入
( ZZ除外)
DESELECT或只读
输出(Q)的
高-Z
不关心
怀特电子设计公司• ( 508 ) 366-5151 •www.whiteedc.com
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