怀特电子设计
命令真值表
CKE
功能
寄存器模式寄存器集
刷新自动刷新（ CBR ）
进入自刷新
预充电单个组预充电
预充电所有银行
银行激活
写
写带自动预充电
读
阅读与自动预充电
突发终止
无操作
设备取消
时钟挂起/待机模式
数据写入/输出禁止
数据面膜/输出禁止
条目
掉电模式
出口
前
周期
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
H
H
X
X
当前
周期
X
H
L
X
X
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X
X
X
X
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X
X
X
X
X
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CE＃
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
X
X
H
H
RAS ＃ CAS ＃ WE＃
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
H
H
L
L
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
L
L
H
L
L
L
H
L
H
X
X
X
X
X
X
DQM
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
H
X
X
BA
WED3DL3216V
A0-A10
A12, A11,
笔记
X
X
BA
X
BA
BA
BA
BA
BA
X
X
X
X
X
X
X
X
操作码
X
X
X
X
2
2
2
2
2
2
3
L
X
H
X
行地址
L
COLUMN
H
COLUMN
L
COLUMN
H
COLUMN
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
4
5
5
6
6
注意事项：
1.
所有的SDRAM的操作都是德音响通过CE＃状态定义， WE＃ ， RAS＃ ，CAS＃ ，和在时钟的正上升沿DQM 。
2.
银行选择（ BA ） ，如果BA = 0，那么银行A被选中，如果选择BA = 1，那么B银行。
3.
在一个突发写周期有一个零时钟延迟，对于一个突发读周期的延迟等于CAS延迟。
4.
在正常的存取模式中， CKE处于高电平和CK被启用。当它为低电平时，它冻结内部时钟和扩展数据的读取和
写操作。一个时钟的延迟需要模式的进入和退出。
5.
在DQM有两个功能对于DQ的数据读取和写入操作。在读周期，当DQM变高的时钟定时
数据输出被禁止并成为高阻抗后两个时钟的延迟。 DQM还提供了一个数据屏蔽功能写入周期。
当它激活，在时钟的写操作被禁止（零延迟时钟） 。
所有银行必须在进入掉电模式之前进行预充电。掉电模式不瓶坯任何刷新操作，
因此，该设备可以??吨保持在该模式长于刷新期间（t
REF
）该装置。一个时钟延迟所需的模式
进入和退出。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2004年1月，
第0版
6
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