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WED3DL3216V8BC 参数 Datasheet PDF下载

WED3DL3216V8BC图片预览
型号: WED3DL3216V8BC
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内容描述: 16Mx32 SDRAM [16Mx32 SDRAM]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 804 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
I
NPUT
/O
安输出
F
UNCTIONAL
D
ESCRIPTION
符号
CK
CKE
CE#
RAS # , CAS # ,
WE#
BA0 , BA1
TYPE
输入
输入
输入
输入
输入
信号
脉冲
水平
脉冲
脉冲
水平
WED3DL3216V
A0-12
输入
水平
DQ
输入/输出
水平
极性
功能
正面的边缘系统时钟输入。所有的SDRAM的输入采样时钟的上升沿
激活CK信号时高,停用时, CK信号为低电平。通过停用
高电平有效
时钟, CKE低启动省电模式,待机模式,或自刷新模式
CE#禁用或屏蔽,或使所有的输入,除了CK , CKE启用设备的操作和
低电平有效
DQM 。
当采样时钟, CAS# , RAS #的积极上升沿和WE #德网络网元
低电平有效
操作以由SDRAM中执行
选择其中SDRAM银行是活跃的。
在一个银行激活指令周期, A0-12德网络网元的行地址( RA0-12 )采样时
在时钟的上升沿。
在读或写命令的周期, A0-9德网络网元的列地址( CA0-9 )时,
采样时钟的上升沿。除了行地址,A10 / AP是用来
调用Autoprecharge操作在突发读取年底或写周期。如果A10 / AP高,
autoprecharge选择和BA0 , BA1德网络网元的银行进行预充电。如果A10 / AP低时,
autoprecharge被禁用。
在一个预充电命令周期,A10 / AP用于与BA0结合, BA1 ,以控制
哪家银行(县)预充电。如果A10 / AP很高,所有银行都将被考虑的预充电
BA0状态, BA1 。如果A10 / AP低时,比BA0 , BA1被用来对网络连接的ne银行到预充电。
数据输入/输出复用在相同的针
绝对最大额定值*
参数
电源电压
输入电压
输出电压
工作温度
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
CC
/V
CCQ
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
TSG
P
D
I
OS
-1.0
-1.0
-1.0
-0
-55
最大
+4.6
+4.6
+4.6
+70
+125
1.5
50
单位
V
V
V
°C
°C
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或高于本规范的业务部门所标明更大的任何其他条件不暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间会影响其可靠性。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2004年1月,
第0版
3
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com