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WED3EG7233S202JD3 参数 Datasheet PDF下载

WED3EG7233S202JD3图片预览
型号: WED3EG7233S202JD3
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内容描述: 256MB - 2x16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED [256MB - 2x16Mx72 DDR SDRAM UNBUFFERED]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 11 页 / 307 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
注意:
WED3EG7233S-D3
-JD3
先进
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5到3.6
-1.0到3.6
-55到+150
18
50
单位
V
V
°C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
0°C
T
A
70℃ ,V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
参数
电源电压
电源电压
参考电压
终止电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
2.3
2.3
1.15
1.15
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
TT
+ 0.76
最大
2.7
2.7
1.35
1.35
V
CCQ
+ 0.3
V
REF
-0.15
V
TT
-0.76
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
电容
T
A
= 25°C 。 F = 1MHz时, V
CC
= 2.5V ± 0.2V
参数
输入电容( A0 - A12 )
输入电容( RAS # , CAS # , WE# )
输入电容( CKE0 )
输入电容( CK0 # , CK0 )
输入电容( CS0 # )
输入电容( DQM0 - DQM8 )
输入电容( BA0 - BA1 )
数据输入/输出电容( DQ0 - DQ63 )( DQS)
数据输入/输出电容( CB0 - CB7 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IN7
C
OUT
C
OUT
最大
59
59
32
56
32
13
59
13
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2005年5月
第0版
4
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com