怀特电子设计
WED3EG7233S-D3
-JD3
先进
推荐的工作条件下， 0 ℃，
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CCQ
= 2.5V ± 0.2V, V
CC
= 2.5V ± 0.2V
仅包括DDR SDRAM组件
参数
工作电流
符号
I
DD0
条件
一台设备的银行;主动 - 预充电;
t
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（MIN） ; DQ ， DM
和DQS投入不断变化的每一次
时钟周期;地址和控制
投入改变一次，每两
周期。
一台设备的银行;主动 - 读 -
预充电脉冲串= 2;吨
RC
=t
RC
（分钟） ;
t
CK
=t
CK
（MIN） ;升
OUT
= 0毫安;地址
和控制输入改变一次每
时钟周期。
所有的设备闲置的银行;掉电
模式;牛逼
CK
=t
CK
（MIN） ; CKE = （低）
CS ＃ =高;所有的设备闲置的银行;
t
CK
=t
CK
（MIN） ; CKE =高;地址
和其他控制输入变化
一旦每个时钟周期。 V
IN
= V
REF
为
DQ ， DQS和DM 。
一台设备的银行活动的;掉电
模式;牛逼
CK
（MIN） ; CKE = （低）
CS ＃ =高; CKE =高;一台设备
银行;主动预充电;吨
RC
=t
RAS
（MAX） ;吨
CK
=t
CK
（MIN） ; DQ ， DM和
DQS输入每个时钟改变两倍
周期;地址和其他控制
输入每个时钟周期变化一次。
突发= 2;读取;可连拍;
一台设备的银行活动的;地址
和控制输入改变一次
每个时钟周期;牛逼
CK
= T
CK
（MIN） ;升
OUT
= 0毫安。
突发= 2;写;可连拍;
一台设备的银行活动的;地址
和控制输入改变一次每
时钟周期;吨
CK
=t
CK
（MIN） ; DQ ， DM
和DQS投入不断变化的每一次
时钟周期。
t
RC
= t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
四大行交错读取（ BL = 4 ）
自动预充电与T
RC
=t
RC
（分钟） ;吨
CK
=t
CK
（分钟） ;地址
控制输入仅在改变
有效的读或写命令。
DDR266@CL=2.0
最大
待定
DDR266@CL=2.5
最大
1845
DDR200@CL=2
最大
1845
单位
mA
I
DD
规格和测试条件
工作电流
I
DD1
待定
2205
2205
mA
预充加电
下来备用
当前
空闲待机电流
I
DD2P
待定
72
72
RNA
I
DD2F
待定
810
810
mA
主动掉电
待机电流
主动待机
当前
I
DD3P
I
DD3N
待定
待定
450
900
450
900
mA
mA
工作电流
I
DD4R
待定
2250
2250
mA
工作电流
I
DD4W
待定
2115
2115
RNA
自动刷新
当前
自刷新电流
工作电流
I
DD5
I
DD6
I
DD7A
待定
待定
待定
3015
72
4050
3015
72
4050
mA
mA
mA
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2005年5月
第0版
5
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