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WED416S8030A12SI 参数 Datasheet PDF下载

WED416S8030A12SI图片预览
型号: WED416S8030A12SI
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内容描述: 2Mx16x 4银行同步DRAM [2Mx16x 4 Banks Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 164 K
品牌: WEDC [ WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION ]
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怀特电子设计
(单位=时钟数)
频率
100MHz的( 10.0ns )
83MHz的( 12.0ns )
在75MHz ( 12.0ns )
为66MHz ( 15.0ns )
CAS
潜伏期
3
3
2
2
t
RC
80ns
8
7
6
6
t
RAS
50ns
5
5
4
4
t
RP
24ns
3
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
t
RCD
24ns
3
2
2
2
WED416S8030A-SI
时钟频率和延时参数为100MHz =
t
CCD
10ns
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
t
RDL
10ns
1
1
1
1
时钟频率和延时参数= 83MHz的
(单位=时钟数)
频率
83MHz的(为12ns )
在75MHz (为12ns )
为66MHz ( 15ns的)
CAS
潜伏期
3
3
2
t
RC
90ns
8
7
6
t
RAS
60ns
5
5
4
t
RP
26ns
3
2
2
t
RRD
24ns
2
2
2
t
RCD
26ns
3
2
2
t
CCD
12ns
1
1
1
t
CDL
12ns
1
1
1
t
RDL
12ns
1
1
1
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子,恕不另行通知。
2004年10月
第4版
5
怀特电子设计公司• ( 602 ) 437-1520 •www.wedc.com