怀特电子设计
绝对最大额定值（ 1 ）
参数
工作温度
电源电压（V
CC
)
信号的电压范围（除A9的任何引脚）（2）
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
数据保留军用温度
耐力（写入/擦除周期） （军用温度）
A9电压保护部门（V
ID
) (3)
-55到+125
-2.0到+7.0
-2.0到+7.0
-65到+150
+300
10
万分钟
-2.0至14.0
单位
°C
V
V
°C
°C
岁月
周期
V
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度。 （米尔）
工作温度。 （印第安纳州）
A9电压部门保护
WMF128K8-XXX5
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
A
V
ID
民
4.5
2.0
-0.5
-55
-40
11.5
最大
5.5
V
CC
+ 0.5
+0.8
+125
+85
12.5
单位
V
V
V
°C
°C
V
注意事项：
1.强调以上的绝对最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。延长运行在最高水平可能会降低性能，
影响可靠性。
输入或I / O引脚2.最小直流电压为-0.5V 。在电压转换，输入
可能会过冲V
SS
至-2.0 V最高为20ns的周期。在最大直流电压
输出I / O引脚为V
CC
+ 0.5V 。在电压转换，输出可能会过冲
到Vcc + 2.0V，最高为20ns的周期。
3. A9引脚上的最小直流输入电压为-0.5V 。期间的电压转换， A9可
Vss的过冲至-2V最高为20ns的时间。在A9最大直流输入电压
+ 13.5V这可能会过冲至14.0 V的时间最多为20ns 。
电容
T
A
= +25°C
参数
地址输入电容
输出使能容
写使能电容
片选电容
数据I / O容量
符号
C
AD
C
OE
C
WE
C
CS
C
I / O
条件
最大单位
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
IN
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
V
I / O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的15 pF的
此参数由设计保证，但未经测试。
直流特性 - CMOS兼容
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电流为读（ 1 ）
V
CC
有源电流的编程或擦除（ 2 ）
V
CC
待机电流
输出低电压
输出高电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
条件
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5, V
IN
= GND到V
CC
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
CS ＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
V
CC
= 5.5 ， CS ＃ = V
IH
中，f = 5MHz时，
I
OL
= 8.0毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -2.5毫安，V
CC
= 4.5
I
OH
= -100 μA ，V
CC
= 4.5
民
最大
10
10
35
50
1.6
0.45
单位
µA
µA
mA
mA
mA
V
V
V
V
0.85× V
CC
V
CC
- 0.4
3.2
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
的频率分量通常是小于2mA /兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入算法（编程或擦除）正在进行中。
3.直流测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= V
CC
- 0.3V
AC测试电路
I
OL
电流源
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出参考电平
输出时序参考电平
典型值
VIL = 0 ， VIH = 3.0
5
1.5
1.5
单位
V
ns
V
V
D.U.T.
C
EFF
= 50 pF的
V
Z
1.5V
（双极性电源供电）
I
OH
电流源
注意事项：
V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。
I
OL
＆放大器;我
OH
可编程从0到16毫安。
测试仪阻抗Z0 = 75 Ω 。
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
.
I
OL
＆放大器;我
OH
被调整，以模拟典型的电阻性负载电路。
ATE测试仪包括夹具电容。
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
2
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