怀特电子设计
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
写周期时间
片选建立时间
写使能脉冲宽度
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
芯片选择保持时间
写使能脉冲宽度高
的字节编程操作时间（min ）
扇区擦除时间
阅读恢复时间之前写
V
CC
建立时间
芯片编程时间
输出使能设置时间
输出使能保持时间（ 1 ）
注意事项：
1.对于切换和数据＃投票。
WMF128K8-XXX5
交流特性 - 写/擦除/编程操作， WE＃控制
符号
t
AVAV
t
WC
t
ELWL
t
CS
t
WLWH
t
WP
t
AVWH
t
AS
t
DVWH
t
DS
t
WHDX
t
DH
t
WHAX
t
AH
t
WHEH
t
CH
t
WHWL
t
WPH
t
WHWH1
t
WHWH2
t
GHWL
t
VCS
t
OES
t
OEH
-50
民
50
0
25
0
25
0
40
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
民
60
0
30
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-60
最大
民
70
0
35
0
30
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-70
最大
民
90
0
45
0
45
0
45
0
20
14
2.2
0
50
0
10
-90
最大
-120
民
120
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
-150
民
150
0
50
0
50
0
50
0
20
14
2.2
0
50
0
10
最大
单位
60
60
60
60
60
12.5
12.5
12.5
12.5
12.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
60秒
ms
µs
12.5秒
ns
ns
交流特性 - 只读操作
V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ， -55 ° C≤牛逼
A
≤ +125°C
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
OE ＃到输出有效
芯片选择到输出高Z（ 1 ）
OE ＃高到输出高Z（ 1 ）
从报告中， CS ＃或OE ＃输出保持
变化，无论是科幻RST
注意事项：
1.设计保证，但未经测试
符号
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
-50
民
50
最大
50
50
25
20
20
0
-60
民
60
最大
60
60
30
20
20
0
-70
民
70
最大
70
70
35
20
20
0
-90
民
90
最大
90
90
40
25
25
0
-120
民
120
最大
120
120
50
30
30
0
-150
民
150
最大
150
150
55
35
35
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2001年4月
启5
3
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