WCMA1016U4X
开关特性
在整个工作范围
WCMA1016U4X-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
BLE / BHE低到数据有效
BLE / BHE低到低Z
BLE / BHE高到高阻态
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
BLE / BHE低到写结束
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
WCMA1016U4X-70
分钟。
70
马克斯。
单位
ns
70
10
70
35
5
25
10
25
0
70
70
5
25
70
60
60
0
0
50
60
30
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
5
ns
ns
描述
分钟。
55
马克斯。
55
10
55
25
5
20
10
20
0
55
55
5
20
55
45
45
0
0
40
45
25
0
25
5
写周期
注意：
7.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时V的基准水平
CC （典型值）
0 / 2 ，输入脉冲电平到V
CC （典型值）
和输出
装载指定I的
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZBE
小于吨
LZBE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和T
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
10.存储器的内部写入时间由WE的V重叠， CE =定义
IL
， BHE和/或BLE = V
IL
。所有的信号必须是活动开始
写任何这些信号可以通过将非活动结束写入。的数据输入的设置和保持时间应参考的
该终止写信号的边沿。
5
WEIDA [ WEIDA SEMICONDUCTOR, INC. ]
