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2SB1188 参数 Datasheet PDF下载

2SB1188图片预览
型号: 2SB1188
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内容描述: 外延平面PNP晶体管 [Epitaxial Planar PNP Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 123 K
品牌: WEITRON [ WEITRON TECHNOLOGY ]
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2SB1188
电气特性曲线
V
权证
=-3V
-0.5
T A = 25℃
-2 0.5毫安
Ç OLLE Ç TOR C-UR ř鄂西北:我
C
(MA )
-1000
-500
-200
-100
-50
-20
-10
-5
-2
-1
T A = 100℃
25 C
40 C
Ç OLLE (C T)或
C-UR ř鄂西北:我
C
(A)
-2 0.2 5毫安
-2毫安
-1 0.75毫安
-0.4
-0.3
-1 0.5毫安
-1 0.25毫安
-1mA
-0.2
-75 0 A
-500 A
-0.1
-250 A
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 -2.2
B为E T O服务è MIT T E R诉Ø L T AG E: V
(V )
0
0
-0.4
-0.8
-1.2
I
B
=0A
-1.6
-2
C 0 LLE (C T) Ø ř T O服务è MIT T E R诉Ø LT AG E: V
权证
(V )
˚F IG 。1G圆形发射器传播
characteris抽动
T A = 25℃
V
权证
=6V
3V
1V
500
˚F IG 。2G圆形发射极输出
characteris抽动
V
权证
=-3V
T A = 100℃
25 C
25 C
200
500
DC C-UR ř鄂西北摹AIN :H
FE
200
100
DC C-UR ř鄂西北摹AIN :H
˚F ê
100
50
50
20
-5
-10
-20
-50
-100
-200
-500 -1000 -2000
20
-5
-10
-20
-50
-100 -200
-500 -1000 -2000
C 0 L L权证T O服务R C UR ř鄂西北:我
C
(MA )
C 0 L L权证T O服务R C UR ř鄂西北:我
C
(MA )
˚F IG 0.3直流电流增益VS 。
集电极电流
Ç OLLE Ç TOR S ATUR ATION VOLTAG E: V
权证(SAT)
(毫伏)
˚F IG 0.4直流电流增益VS 。
集电极电流
-500
l
C
/l
B
=10
Ç OLLE Ç TOR S ATUR ATION电压: V
权证(SAT)
(毫伏)
-500 T A = 25℃
-200
-200
-100
-100
I
C
/I
B
=50
-50
T A = 100℃
25 C
40 C
-50
20
10
-5
-10
-20
-50
-100 -200
-500 -1000 -2000
-20
-5
-10
-20
-50 -100 -200
-500 -1000 -2000
C 0 L L权证T O服务R C UR ř鄂西北:我
C
(MA )
C 0 LLE (C T) Ø R C UR ř鄂西北:我
C
(MA )
˚F IG 0.5 Ç ollector极 - 发射极s aturation
电压 - 。集电极电流
˚F IG 0.6 Ç ollector极 - 发射极s aturation
电压 - 。集电极电流
WEITRON
http://www.weitron.com.tw