威伦
双路通用晶体管
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
小信号特性
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
电流增益 - 带宽积（注3 ）
(I
C
•
高电流能力，
f
低正向压降。
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏直流电，为100兆赫）
•
高浪涌能力。
输出电容
•
Guardring过电压保护。
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
•
超高速开关。
输入
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
电容
(V
EB
LEAD -FREE
I
部分符合环保标准
•
= 0.5伏，
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
输入阻抗
填料
•
符合RoHS的产品
10 VDC ，女
代号后缀"G"
= 1.0千赫）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
=
(I =
无卤素产品
F = 1.0千赫）
后缀"H"
10 MADC ，V = 10 VDC ，
包装CODE
C
FM120-M
MMBT2222ADW1T1
THRU
FM1200-M
无铅产品
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
特点
包装外形
SOD-123H
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
300
0.130(3.3)
–
–
0.146(3.7)
–
8.0
25
0.012 （ 0.3 ）典型值。
兆赫
pF
0.071(1.8)
0.056(1.4)
pF
电压反馈比例
(I
C
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益
终端，每MIL -STD- 750
•
端子：镀
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
方法2026
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
•
极性：由阴极频带指示
输出导纳
(I
C
•
MOUNTING
V
CE
= 10
：任何
F = 1.0千赫）
= 1.0 MADC ，
位置
VDC ，
(I
C
•
重量：的逼近
f
0.011
千赫）
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， = 1.0
克
集电极基时间常数
最大额定值和
(I
E
= 20 MADC ，V
CB
= 20伏， F = 31.8兆赫）
,
机械数据
CE
2.0
0.25
–
–
50
75
5.0
25
–
–
8.0
1.25
8.0
4.0
300
375
35
200
150
4.0
kΩ
h
re
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
X 10
–4
0.031 （ 0.8 ）典型值。
h
fe
–
尺寸以英寸（毫米）
h
oe
毫姆欧
电气特性
RB ，C
c
NF
ps
dB
评级
科幻gure
环境温度，除非另有规定。
噪音
在25 ℃
单相
MADC ，
V
CE
= 10伏，R
S
= 1.0
感性负载。
(I
C
= 100
半波，60HZ，阻性
千欧， F = 1.0千赫）
对于容性负载，减免电流20 ％
开关特性
延迟时间
评级
标识代码
上升时间
最大的经常峰值反向电压
贮存时间
最大RMS电压
最大直流阻断电压
下降时间
(V
CC
= 30伏直流电，V
BE （OFF）的
= -0.5伏，
0.5
12
13
14
I
C
= 150 MADC ，我
B1
= 15 MADC ）
20
30
40
V
RRM
14
21
V
30伏直流电，我
C
= 150 MADC ，
(V
CC
=
RMS
I
B1
= I
B2
= 15 MADC ）
20
30
V
DC
I
FSM
28
40
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
t
d
15
50
t
r
35
t
s
50
t
f
16
60
42
60
1.0
30
–
–
–
–
18
80
56
80
10
10
25
100
ns
115
150
105
ns
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
225
70
60
100
最大正向平均整流网络版
其中| H
fe
|推断团结。
I
O
3. f
T
被定义为频率在
当前
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
40
120
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
