威伦
SOD-123
FM120-M
MMBT2222ADW1T1
THRU
双路通用晶体管
-20V- 200V
1.0A表面贴装肖特基二极管
包
FM1200-M
无铅产品
特点
10
NF ，噪声系数（dB ）
包装外形
10
F = 1.0千赫
8.0
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
4.0
2.0
0
50
I
C
= 50
µA
100
µA
500
µA
1.0毫安
SOD-123H
S
更好的反向漏电流和耐热性。
R
S
=
来源
I
C
= 1.0毫安，R
S
= 150
Ω
8.0
•
低调的表面安装，以便应用程序
R
S
=
阻力
500
µA,
R
S
= 200
优化电路板空间。
Ω
损失，
R
S
= 2.0 kΩ
•
低功耗
100
µA,
高英法fi效率。
50
µA,
R
S
= 4.0
6.0
•
高电流能力，
kΩ
正向电压降。
低
•
高浪涌能力。
•
Guardring过电压保护。
4.0
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
2.0
•
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
0
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50 100
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
R =优化
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
100 200
500 1.0 k 2.0 k
5.0 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.040(1.0)
0.024(0.6)
•
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
图5.频率
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
影响
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
30
20
电容（pF）
方法2026
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
500
男，频率（KHz ）
R
S
，源电阻（欧姆）
图6.源电阻的影响
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
•
安装位置：任意
C
eb
•
重量：的逼近0.011克
300
200
尺寸以英寸（毫米）
V
CE
= 20 V
T
J
= 25°C
10
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
7.0
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
5.0
100
对于容性负载，减免电流20 ％
C
cb
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
评级
3.0
70
标识代码
12
13
14
15
16
18
10
115
120
20
30
40
50
60
80
100
150
200
最大的经常峰值反向电压
伏
V
RRM
2.0
50
2.0 3.0 5.0 7.0 10
V
RMS
30
14
20
50
1.0
2.0 3.0
35
5.0 7.0 10
20 30
70
50 70
105
100
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0
伏
21
28
42
56
140
最大RMS电压
反向电压（伏）
I
C
，集电极电流（毫安）
伏
最大直流阻断电压
20
30
40
50
60
80
100
150
200
V
DC
图7 。
当前
最大正向平均整流网络版
电容
PEAK
1.0
正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加
25°C
负荷（ JEDEC的方法）
T =
评级
I
O
I
FSM
R
θJA
图8.电流增益带宽积
1.0
安培
+0.5
30
安培
℃/W
PF
℃
℃
典型热阻（注2 ）
J
V，电压（V ）
工作温度范围
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
系数（MV /
°
C)
典型结电容（注1 ）
0.8
C
J
TSTG
0
0.6
存储温度范围
T
J
1.0 V
-55到+125
-0.5
40
R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
120
-55到+150
-
65
到+175
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
0.4
特征
-1.0
-1.5
0.50
-2.0
0.70
0.5
10
R
QVB
对于V
BE
0.85
0.9
0.92
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
最大正向电压在1.0A DC
V
F
@T A = 125 ℃
伏
毫安
0.2
额定阻断电压DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用反向电压
50 100 200
4.0 VDC 。
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
500 1.0 k
-2.5
0.1 0.2
0.5
2-热阻
,
结到环境
I
C
集电极电流（毫安）
1.0 2.0
5.0 10 20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图9. “开”电压
图10.温度系数
2012-
0
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
