FM120-M
MSEMF3V3LCC
THRU
低电容四阵列的ESD保护
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
威伦
无铅产品
特点
电气参数
优化电路板空间。
包装外形
SOD-123H
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
应用
•
薄型表面贴装
参数
为了
符号
最大反向
低
•
I
PP
功率损耗，效率高。
峰值脉冲电流
•
高电流能力，低正向电压降。
夹紧
高
•
V
C
浪涌能力。
电压@我
PP
过压
反向
•
Guardring
工作峰值
保护。
电压
V
RWM
•
超高速开关。
最大反向漏电流@
I
R
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
V
RWM
•
无铅零件符合环保标准
I
T
TEST
/228
MIL-STD-19500
当前
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
•
V
BR
击穿电压@ I
T
无卤素产品的包装代号后缀"H"
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
I
F
正向电流
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
•
V
正向电压@ I
F
F
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
电气特性
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
•
极性：由阴极频带指示
V
BR
•
安装位置：任意
•
号码
部分
重量：的逼近0.011克
分钟。
典型值。
尺寸以英寸（毫米）
C
马克斯。
I
T
V
RWM
I
R
µA
1.0
典型值。 0V
BIAS
pF
12
1.
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
MSEMF3V3LCC
5.3
5.6
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
5.9
对于容性负载，减免电流20 ％
最大额定值和电气特性
V
V
V
mA
V
1
3.0
按照图1的非重复性的电流。
标识代码
2.
符号
FM120-M
只有1二极管
评级
下力量。根据功率4二极管
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
3.
一个二极管的电容
最大的经常峰值反向电压
f=1MHz,T
RRM
V
A
=25℃
20
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
12
14
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
V
20
V
A
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型特征
A
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
V
I
R
m
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
图1脉冲宽度
图2功率降额曲线
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
