威伦
SOT- 23塑封装的MOSFET
200V
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V-
SOD-123
•
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
•
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
•
低功耗，高效率。
•
高电流能力，低正向电压降。
电动
浪涌能力。
•
高
特性（T
a
= 25℃除非另有说明）
•
Guardring过电压保护。
参数
符号
测试条件
•
超高速开关。
•
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
STATIC
•
无铅零件符合环保标准
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=10µA
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
•
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
DS
=V
GS
, I
D
=50µA
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
SE2302
THRU
FM1200-M
无铅产品
包
特点
包装外形
SOD-123H
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
民
典型值
最大
单位
0.071(1.8)
0.056(1.4)
20
0.65
0.95
1.2
±100
1
0.045
0.070
8
0.040(1.0)
0.024(0.6)
V
nA
µA
门体漏
机械
数据
I
GSS
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
•
环氧树脂： UL94 -V0阻燃评分
零栅极电压漏极电流
阻燃
I
DSS
•
案例：模压塑料， SOD- 123H
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.6A
0.031 （ 0.8 ）典型值。
,
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
•
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3.1A
正向跨导
a
方法2026
0.060
0.031 （ 0.8 ）典型值。
Ω
0.115
S
V
•
极性：由阴极频带指示
二极管
MOUNTING
电压
：任何
•
前锋
位置
动态
•
重量：的逼近0.011克
总栅极电荷
g
fs
V
SD
V
DS
= 5V ，我
D
=3.6A
I
S
=0.94A,V
GS
=0V
尺寸以英寸（毫米）
0.76
1.2
最大额定值和电气特性
Q
g
4.0
0.65
1.5
300
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
80
56
80
10
nC
V
DS
栅极 - 源电荷
Q
指定的。
=10V,V
GS
=4.5V,I
D
=3.6A
在25 ℃的环境温度，除非另有评级
gs
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
对于容性负载，减免电流20 ％
b
输入电容
标识代码
输出电容
b
评级
b
C
国际空间站
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
UNI
C
OSS
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1MHz
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
反向传输电容
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
开关
b
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
C
RSS
V
RRM
V
RMS
V
DC
t
r
I
O
15
50
35
50
120
10
100
70
100
115
150
105
150
pF
120
200
140
200
伏特
伏特
导通延迟时间
上升时间
t
D（上）
FSM
t
I
D（关闭）
7
15
伏特
V
DD
=10V,
R
L
=5.5Ω,
I
D
≈3.6A,
V
根
=4.5V,Rg=6Ω
AMP
55
16
10
80
60
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
ns
打开-O FF延迟时间
AMP
下降时间
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
注意事项：
工作温度范围
存储温度范围
t
f
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
25
℃/W
PF
a.
b.
脉冲测试：脉冲width≤300μs ，占空比
≤2%.
特征
-
65
到+175
-55到+150
℃
℃
这些参数都无从查证。
V
F
@T A = 125 ℃
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
UNI
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏特
I
R
MAM
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-10
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司。
WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
