欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SESD9D5C 参数 Datasheet PDF下载

SESD9D5C图片预览
型号: SESD9D5C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 瞬态电压抑制器ESD保护 [Transient Voltage Suppressors for ESD Protection]
分类和应用:
文件页数/大小: 3 页 / 388 K
品牌: WILLAS [ WILLAS ELECTRONIC CORP ]
 浏览型号SESD9D5C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SESD9D5C的Datasheet PDF文件第3页  
威伦
瞬态电压抑制器ESD保护
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
FM120-M
SESD9D5C
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装,以便应用程序
电气参数
优化电路板空间。
低功耗,高效率。
低正向
符号
电流能力,
参数
电压降。
高浪涌能力。
反向峰值脉冲
最大
I
Guardring过电压保护。
PP
当前
超高速开关。
V
C
钳位电压
金属
硅外延平面芯片,
@ I
PP
硅结。
V
无铅零件符合环保标准
工作峰值反向电压
RWM
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
最大反向漏电流
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
I
R
卤素
@ V
产品包装代号后缀"H"
免费
RWM
机械数据
I
T
测试电流
UL94 -V0额定阻燃
环氧树脂:
击穿电压@ I
V
BR
T
案例:模压塑料, SOD- 123H
,
端子:镀金端子,符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 ( 0.8 )典型值。
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 ( 0.8 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有specified.VF = 0.9V ,在IF = 10毫安评级
号码
部分
重量:的逼近0.011克
V
BR
最大额定值和电气特性
V
I
I
C
典型值。 0V
BIAS
pF
11
 
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
分钟。
典型值。
马克斯。
单相半波,60赫兹,感性负载的电阻。
对于容性负载,减免电流20 %
R
RWM
R
标识代码
SESD9D5C
评级
V
V
5.6
6.7
符号
FM120-M
ħ FM130 - MH
FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
U
V
mA
V
µA
1
7.8
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
 
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
1
13
30
21
14
40
28
40
5.0
15
50
35
50
16
60
42
60
 
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
V
V
*按照图1浪涌电流波形。
最大直流阻断电压
 
30
V
1. V
BR
平均正向
用脉冲测试电流
O
I
T
在25 ℃的环境温度下。
1.0
最大
测量
整流电流
I
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
A
 
 
A
典型热阻(注2 )
典型结电容(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
 
 
-55到+125
40
120
 
-55到+150
 
-
65
到+175
 
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
 
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 , FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
U
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
 
V
I
R
m
注意事项:
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
 
 
Fig1 。脉冲波形
Fig2 。功率降额曲线
2012-09
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子股份有限公司