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W25Q64BVSFIG 参数 Datasheet PDF下载

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型号: W25Q64BVSFIG
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内容描述: 具有双路和四路SPI 64M位串行闪存 [64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 61 页 / 1652 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W25Q64BV
11.2.15页编程( 02H )
页面编程指令允许从一个字节到256字节的数据(一个页面),在要被编程
此前擦除( FFH )的存储位置。写使能指令前必须先执行
设备将接受页面编程指令(状态寄存器WEL位= 1 ) 。该指令启动
通过驱动/ CS引脚为低电平,则转移指令代码“ 02H ”后跟一个24位地址( A23- A0 )
和至少一个数据字节时,进入DI引脚。在/ CS引脚必须保持为低电平的整个长度
指令,而数据正被发送到设备。页面编程指令序列示于
图15 。
如果整个256字节的页面进行编程,最后一个地址字节( 8个最低显著地址位)
应该被设置为0,如果最后一个地址字节不为零,而时钟数超过剩余
页长度,寻址将换到页面的开始。在一些情况下,小于256字节(一个
部分页)可以在不具有在同一页内的其它字节有任何影响进行编程。一
条件来执行部分页编程是时钟数不能超过剩余
页面长度。如果多于256个字节被发送到设备的寻址将换向的开头
页并覆盖先前发送的数据。
由于与写入和擦除指令, / CS引脚必须驱动为高电平,最后的第八位之后
字节已经被锁定。如果不这样做的页面编程指令将不会执行。后/ CS为
驱动为高电平,自定时页编程指令将展开TPP的持续时间(参见AC
特性) 。当页面编程周期正在进行中,读状态寄存器指令可以
仍然可以访问用于检查BUSY位的状态。 BUSY位为1时的页面编程
周期而成为0时,循环结束,该装置已准备好接受其他指令
再次。后页编程周期结束的写使能状态寄存器锁存器( WEL)位
如果被寻址的页被保护的被清除为0的页面编程指令将不会执行
块保护( BP2 , BP1和BP0 )位。
图15.页面编程指令序列图
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出版日期: 2010年7月8日
版本E