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W29C020T-70 参数 Datasheet PDF下载

W29C020T-70图片预览
型号: W29C020T-70
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内容描述: 256K ×8 CMOS FLASH MEMORY [256K X 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 267 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
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W29C020
将保持启用状态,除非禁用指令发出。电源转换不会复位
软件数据保护功能。要重置设备未受保护的模式,一个6字节的命令
序列是必需的。有关特定代码的信息,请参阅命令代码软件
数据保护操作模式的表中。有关时序波形信息,请参阅
下面的时序图。
硬件数据保护
存储在W29C020的数据的完整性也是硬件以下列方式保护:
( 1 )噪声/毛刺保护:小于15 ns的时间一WE脉冲不会启动写周期。
(2) V
DD
上电/掉电检测:写操作时,禁止V
DD
小于2.5V 。
( 3 )写禁止模式:强制
OE
低,高CE或WE高会抑制写操作。这
防止在上电或掉电期间意外写入。
(4) V
DD
上电延时:当V
DD
达到其层次感,设备会自动超时
5毫秒的任何写操作(擦除/编程)操作之前。
芯片擦除模式
整个装置可以通过使用一个六字节的软件指令代码被删除。请参见软件芯片
擦除时序图。
引导块操作
有两个引导块( 8K字节的每个)在该装置中,其可以被用于存储引导代码。一
其中位于所述第一8K字节,而另一个位于所述最后一个8K字节的存储器。
第一8K或存储器的最后一个8K可以通过使用一个7字节的命令被设置为引导块
序列。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
对于指定的块中的数据不能被擦除或编程(编程闭锁) ;其他
存储单元可以通过常规的编程方法来改变。一旦引导块
编程锁定功能被激活时,芯片擦除功能将被禁用。为了检测
引导块的功能是否被设置在两个8K的块,用户可以执行一个6字节的命令
顺序:输入产品识别方式(参见命令代码识别/引导块
锁定检测的特定码) ,然后从地址"00002 hex"读(用于第一8K字节)
或"3FFF2 hex" (最后8K字节)。如果输出数据是"FF十六进制, "引导块编程
锁定功能被激活;如果输出数据是"FE进制, "的锁定功能被禁用和
块可以被编程。
要返回到正常操作,进行三字节命令序列退出鉴定
模式。对于特定的代码,请参阅命令代码识别/引导块锁定检测。
数据轮询( DQ7 ) - 写状态检测
该W29C020包括数据查询功能,以指示写周期的结束。当
W29C020是在内部写周期,任何试图从在加载的最后一个字节读DQ7
页面/字节负载周期将接收的真实数据的补码。一旦写周期被完成。
DQ7会显示真实数据。看到这些数据轮询时序图。
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