欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

W39F010P-70B 参数 Datasheet PDF下载

W39F010P-70B图片预览
型号: W39F010P-70B
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY [128K 】 8 CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用:
文件页数/大小: 33 页 / 213 K
品牌: WINBOND [ WINBOND ]
 浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号W39F010P-70B的Datasheet PDF文件第11页  
W39F010
6.功能描述
6.1
6.1.1
设备总线操作
读取模式
该W39F010的读操作是由#CE和#OE ,这两者都必须为低电平控制
主机以获得从输出数据。 #CE用于设备选择。当#CE是高电平时,芯片
被取消选择,并仅待机电力将被消耗掉。 #OE是输出控制,用于栅极
从输出管脚的数据。数据总线处于高阻状态时,无论#CE或#OE高。
参考定时波形的进一步细节。
6.1.2
写模式
设备擦除和编程都通过命令寄存器来实现的。的内容
寄存器作为输入,内部状态机。状态机输出规定的功能
该装置。
命令寄存器本身不占用任何可寻址的内存位置。该寄存器锁存器
常用以存储命令,连同以执行所需要的地址和数据信息
命令。命令寄存器写入带来#WE至逻辑低状态,而#CE为逻辑低电平
国家和#OE为逻辑高电平状态。地址锁存#WE或#CE的下降沿,
以较迟者为准情况;而数据被锁存#WE或#CE的上升沿,取两者发生
第一。标准的微处理器写定时被使用。
请参见AC写特性和擦除/编程波形的具体时间
参数。
6.1.3
待机模式
有两种实现W39F010设备在备用模式时,两者都使用#CE销方式。
一种CMOS待机模式实现了与
在V举行#CE输入
DD
±0.5V.
在这种条件下的电流
典型地降低至小于50
μA.
一个TTL待机模式实现了与在V举办的#CE销
IH
.
在这种条件下的电流通常降低到2毫安。
在待机模式下的输出处于高阻抗状态,独立于#OE输入的。
6.1.4
输出禁止模式
以在逻辑高电平的#OE输入(Ⅴ
IH
) ,从设备输出被禁止。这将导致
输出引脚为高阻抗状态。
6.2
数据保护
该W39F010的目的是提供保护,防止意外删除或编程引起的
系统杂散电平信号,可能会在电源转换存在。上电时器件
在阅读模式下自动复位内部状态机。另外,对于其控制寄存器
体系结构,变更的存储内容仅发生成功完成特定的后
多总线周期的命令序列。该器件还集成了多项功能以防止
从V造成无意的写周期
DD
上电和掉电转换或系统噪声。
-7-
出版日期: 2005年12月26日
修订版A4