W39F010
6.3
引导块操作
有两种选择来设置引导块。在16K字节的在此装置的顶部/底部位置
可锁定的引导块，其可被用于存储引导代码。它坐落在上16K字节
或第一16K字节，以1FFFF （十六进制），用于顶部的地址范围从1C000 （十六进制）的存储器的
位置或00000 （十六进制）到03FFF （十六进制）用于底部位置。
请参见命令代码为引导块锁定启用的特定代码。一旦该功能被设置
数据为指定的块不能被擦除或编程（编程锁定） ，其它存储器
位置可以通过常规的编程方法来改变。
为了检测所述引导块的特征是否被设置在第一/最后的16K字节块上与否，用户
可以执行软件命令序列：输入产品识别模式（请参阅命令
代码识别/引导块锁定检测特定的代码） ，然后从地址读
0002 （十六进制）为第（底部）位置或1FFF2 （十六进制） ，去年（顶部）的位置。如果输出DQ0 / DQ1
数据"1,"的16K字节的引导块编程锁定功能将被激活;如果的DQ0 / DQ1
输出数据是"0,"锁定功能将被失活，并且该块可擦除/编程。
返回到正常操作时，执行一个3字节的命令序列（或备用的单字节
命令）退出的识别模式。对于特定的代码，请参阅命令代码
识别/引导块锁定检测。
6.3.1
低V
DD
抑制
以避免在V的写周期开始
DD
上电和掉电时， W39F010锁定了
当V
DD
< 2.0V （见电压DC特性部分） 。的写入和读出操作是
抑制当V
DD
小于2.0V典型。该W39F010忽略所有写和读操作，直到
V
DD
> 2,0V 。用户必须确保控制引脚处于正确的逻辑状态时， V
DD
＆ GT ; 2.0V
防止无意识。
6.3.2
写脉冲"GLITCH"保护
小于10纳秒（典型值）的#OE ， #CE ，或#WE噪声脉冲不会启动写周期。
6.3.3
逻辑INHIBIT
写作是由持有#OE = V任何一个抑制
IL
， #CE = V
IH
或#WE = V
IH
。要启动一个写周期
#CE和#WE必须是逻辑零而#OE是一个逻辑1 。
6.3.4
上电时禁止写入
上电设备与#WE = #CE = V
IL
和#OE = V
IH
不接受的命令上涨
#WE除了延时5ms的边缘（参见AC特性上电时序）。内部状态
机器会自动复位到上电时读取模式。
6.4
命令德网络nitions
设备操作由写入特定的地址和数据序列进入命令选择
注册。在不当的顺序书写不正确的地址和数据值或写他们将重置
该装置所读取的模式。 "Command Definitions"定义了有效的寄存器命令序列。
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WINBOND [ WINBOND ]
