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MMBTA42LT1 参数 Datasheet PDF下载

MMBTA42LT1图片预览
型号: MMBTA42LT1
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内容描述: NPN外延硅晶体管 [NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 163 K
品牌: WINNERJOIN [ SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD ]
 浏览型号MMBTA42LT1的Datasheet PDF文件第1页  
RoHS指令
M M BTA 42 LT1
典型特征
120
100
80
60
40
20
0
0.1
1.0
10
h
FE
,电流增益
T
J
=125 C
V
CE
=10Vdc
+25 C
-55 C
I
C,
集电极电流(毫安)
直流电流增益
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
V,电压(V )
1.0
I
C,
集电极电流(毫安)
On
电压
F
T
,电流增益, BAINDWIDTH (兆赫)
W
J
E
E
C
E
L
10
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0
R
T
100
O
N
C
I
C
O
L
,
.
100
D
T
V
权证(SAT)
@ 25℃ ,我
C
I
B
= 10
V
权证(SAT)
@ 125 C,I
C
I
B
= 10
V
权证(SAT)
@ -55℃ ,我
C
I
B
= 10
V
B E(坐)
@ 25℃ ,我
C
I
B
= 10
V
B E(坐)
@ 125 C,I
C
I
B
= 10
V
B E(坐)
@ -55℃ ,我
C
I
B
= 10
V
BE ( SAT )
@ 25°C ,V
CE
= 10V
V
BE ( SAT )
@ 125 C ,V
CE
= 10V
V
BE ( SAT )
@ -55 C,V
CE
= 10V
T
J
=25 C
V
CE
=20V
f=20MHz
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
I
C,
集电极电流(毫安)
目前, Gain--带宽
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